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パワーデバイス（SiC,Si）開発エンジニア

年収：800万～ 1000万

採用企業案件

採用企業

部署・役職名	パワーデバイス（SiC,Si）開発エンジニア
職種	研究・開発半導体設計
業種	半導体
勤務地	茨城県群馬県山梨県愛媛県
仕事内容	当社は「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。 ■募集の背景当社では、SiやSiCのパワーMOS、IGBTなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強（大口径化や生産委託）などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。 ■職務内容 ▼パワーデバイス・プロセス開発・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携 ■部署紹介【部門の雰囲気】 ☆得意なスキルで補完し合うメンバーでチームを構成して業務に取り組んでおり、相談しやすく、不明点など早期解決できる。 ☆複数の母体会社で構成されている経緯より、様々な文化や技術が結集された相乗効果が生まれている。 ☆教育訓練、社内講座、技術発表会あり【勤務地：群馬県高崎市】 ☆パワーMOS誕生当時からの実績をもつ開発・設計・製造拠点 ☆鉄道・道路とも充実し、日本有数の内陸交通網　充実した商業施設、文化施設【勤務地：茨城県ひたちなか市】 ☆工場敷地面積は東京ドーム４個分 ☆200mmシリコンウェハー、300mmシリコンウェハーの工場が隣接しており、双方の技術経験が可能 ☆海・山が近く、日帰りスキーもできる【勤務地：山梨県甲斐市】 ☆半導体工場の工場立ち上げ業務から携わることができ、24年から本格稼働予定 ☆空気・水がきれいな環境、近年移住者増加中【勤務地：愛媛県西条市】 ☆日本で始めて塩害問題を克服した臨海半導体工場　 ☆住みたい田舎ベストランキング全国２位キャンプなど様々なアウトドアを楽しめる【アピールポイント】 ☆新規デバイスの構造設計・前工程プロセス設計で自身のアイデアを製品化できる ☆設計部門、開発部門、量産工場と同床化しており、情報交換が活発 ☆他工程とのJobローテーションによるスキルアップが可能 ☆特性により様々なキャリア向上に対する評価環境が整っている
労働条件	【雇用形態】正社員【勤務地】ご希望、ポジションを考慮のうえ、下記勤務地へ配属となります。・群馬県高崎市・茨城県ひたちなか市・山梨県甲斐市・愛媛県西条市【勤務時間】 8:30〜17:15（うち休憩時間60分）【休日】完全週休2日制（土・日）、祝日・年末年始休暇、夏季休暇・慶弔休暇、特別休暇　等有給休暇（初年度入社1～23日（入社月による））年間休日125日以上【社会保険】厚生年金、労災保険、健康保険、雇用保険の加入【福利厚生】住宅手当（規定に基づく）、団体保険、財形貯蓄等、退職金制度、フレックス制等【人事評価制度】社内公募制度: 社内でキャリアアップできる可能性・環境が整っている
応募資格	【必須（MUST）】【必須経験】・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験　３年以上　（半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験）【必要語学スキル】・日本語 / ビジネスレベル・英語 / 日常会話レベル以上 (TOEIC 700点程度) 【歓迎（WANT）】・パワーデバイス（IGBT,パワーMOS(Si,SiC）,FRD)開発経験・TCADシミュレーションスキル・TEGレイアウトスキル・デバイス電気特性評価スキル・海外との共同プロジェクト経験・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識・期待する行動役割など(求める人物像) パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方
アピールポイント	自社サービス・製品あり日系グローバル企業上場企業従業員数1000人以上シェアトップクラス年間休日120日以上産休・育休取得実績あり教育・研修制度充実女性管理職実績あり Uターン・Iターン歓迎マネジメント業務なし完全土日休みフレックスタイム
受動喫煙対策	喫煙室設置
更新日	2024/02/13
求人番号	3291544

採用企業情報

ルネサスエレクトロニクス株式会社

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