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IGBT、SiCデバイスの開発・設計エンジニア

年収：800万 ～ 1500万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 IGBT、SiCデバイスの開発・設計エンジニア
職種
業種
勤務地
仕事内容 IGBT、SiCデバイスの開発・設計をご担当いただきます。
主な業務は以下の通りです。
　・プロセス開発（新規プロセス立ち上げ、Fab立ち上げ等）
　・TCADを使用したデバイス、プロセス設計
　・レイアウト設計
　など。
　ご専門の内容に応じて業務内容を決定します。

※業務の内容次第で中国への出張が必要となる場合がありますが、あくまでも出張ベースです。

【募集背景】
IGBT,SiC製品事業拡大のため、日本開発センターの人員増強のための募集です。

【配属先】
配属先となる日本支社 開発センターは、少数精鋭チームです。
まだ小さなチームですので、各人が大きな裁量をもって働ける魅力的な職場です。
やる気次第で可能性は大きく広がります。
労働条件 【雇用形態・雇用期間】
正社員・雇用期間の定めなし

【勤務地】
日本支社：東京都中央区東日本橋
※在宅勤務（フルリモート）も含めて、個別相談をさせて頂きます。

【年収】
700万円～1500万円

【勤務時間】
9:00～17:00（所定労働時間：7時間）

【休日休暇】
年間休日120日
完全週休2日制（土日）、祝日、夏季・年末年始、慶弔休暇
有給休暇：初年度10日（入社半年経過時点）

【待遇・福利厚生】
昇給制度あり
賞与年2回
各種社会保険完備
試用期間3カ月有り：条件変動なし
応募資格

【必須（MUST）】

・半導体プロセス・デバイスの開発経験5年以上の方
・年齢不問です。知識、経験、開発への気力を重視させていただきます。

【歓迎（WANT）】

・IGBT, SiC MOS/SBD,Power MOS, FRD開発経験
・IGBT裏面技術の経験
・パワーデバイス応用技術の経験
・プロセスインテグレータの経験
・プロセス要素技術（熱処理、リソ、エッチ、メタライズ等）の経験

※語学力は問いません
リモートワーク

可

「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策

屋内禁煙
更新日 2023/10/16
求人番号 3024569

採用企業情報

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