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パワー半導体（IGBT・MOSFET）デバイス開発：シニアエンジニア

年収：800万 ～ 2000万

ヘッドハンター案件

役員面接

部署・役職名 パワー半導体（IGBT・MOSFET）デバイス開発：シニアエンジニア
職種
業種
勤務地
仕事内容 パワー半導体（IGBT・MOSFET）の設計開発

＜詳細＞
設計開発、試作評価、量産工程の確立に対応いただきます。

※EVモーター用のインバーター開発・製造までを進め、
　EVモーターも開発しており、
　より最適化したパワー半導体の開発をお願い致します。
労働条件 【年収】
700万～2000万円
※ご経験により2000万円以上も検討させていただきます。
※上記給与とは別に、個人の実績によりインセンティブを期待いただけます。

【勤務時間】
10:00～18:30（昼休憩 45分）
※月平均残業時間：20h前後

【休日休暇】
年間休日120日
完全週休2日制（土日）、祝日、夏季・年末年始、慶弔休暇
有給休暇：初年度10日（入社半年経過時点）

【待遇・福利厚生】
昇給制度あり
インセンティブあり
通勤交通費5万円迄支給
各種社会保険（健康保険・厚生年金保険・労災保険・雇用保険）完備
応募資格

【必須（MUST）】

IGBT MOSFETなどパワー半導体の設計開発経験者

【歓迎（WANT）】

6インチ/8インチでのIGBT、
shield gate trench（SGT）MOSFET、
super juction（SJ）MOSFETなどのパワーデバイス開発経験者

英語で日常業務に必要なコミュニケーションを取れる方は、尚可
リモートワーク

不可
受動喫煙対策

屋内禁煙
更新日 2023/10/14
求人番号 3024567

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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