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部署・役職名 | パワー半導体(IGBT・MOSFET)デバイス開発:シニアエンジニア |
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職種 | |
業種 | |
勤務地 | |
仕事内容 |
パワー半導体(IGBT・MOSFET)の設計開発 <詳細> 設計開発、試作評価、量産工程の確立に対応いただきます。 ※EVモーター用のインバーター開発・製造までを進め、 EVモーターも開発しており、 より最適化したパワー半導体の開発をお願い致します。 |
労働条件 |
【年収】 700万~2000万円 ※ご経験により2000万円以上も検討させていただきます。 ※上記給与とは別に、個人の実績によりインセンティブを期待いただけます。 【勤務時間】 10:00~18:30(昼休憩 45分) ※月平均残業時間:20h前後 【休日休暇】 年間休日120日 完全週休2日制(土日)、祝日、夏季・年末年始、慶弔休暇 有給休暇:初年度10日(入社半年経過時点) 【待遇・福利厚生】 昇給制度あり インセンティブあり 通勤交通費5万円迄支給 各種社会保険(健康保険・厚生年金保険・労災保険・雇用保険)完備 |
応募資格 |
【必須(MUST)】 IGBT MOSFETなどパワー半導体の設計開発経験者【歓迎(WANT)】 6インチ/8インチでのIGBT、shield gate trench(SGT)MOSFET、 super juction(SJ)MOSFETなどのパワーデバイス開発経験者 英語で日常業務に必要なコミュニケーションを取れる方は、尚可 |
リモートワーク | 不可 |
受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
更新日 | 2023/10/14 |
求人番号 | 3024567 |
採用企業情報
この求人の取り扱い担当者
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