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| 部署・役職名 | 【京都】パワー半導体デバイスのデバイス試作エンジニア※WEB面接可 |
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| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
【業務概要】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイス のいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。 SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けデバイス試作 （パッケージ/モジュール）を強化するための採用です。 また2022年からはGaN Projectもスタートし各々のWide Band Gap材料による特徴ある新機能性デバイスの設計・開発を行っていく。 【配属先】 大手半導体メーカー（TI/On Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム等で）20～30年以上の経験を持つメンバーで構成 されております。 【当社について】 高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性 パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 従来の垂直統合型で進めていた日本の半導体メーカーと一線を画し、水平分業型のビジネスモデルを取っております。 台湾のヘッドクォーターのエンジニア、台湾・香港・アメリカ等のファウンドリーメーカーとのエンジニア等と協業し、 プロセスインテグレーションを進めております。 SiCに強いファウンドリーが少ない中で、これまでにない半導体を生み出すために技術的な支援を推進。 今後、これまで積み上げてきた技術を商品化していくための人員の強化を進めています。 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ＜必須条件＞いずれか経験がある方・パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 ・ファウウンドリーでのデバイス試作経験 ・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 ・パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験 ＜歓迎条件＞ ・英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2023/09/27 |
| 求人番号 | 2986719 |
採用企業情報
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- 会社規模1-30人
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