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[売り上げ1.7兆円規模の上場企業]自社高電流イオン注入装置開発の機械開発エンジニアリーダー

年収：1000万～ 1800万

採用企業案件

採用企業

部署・役職名	[売り上げ1.7兆円規模の上場企業]自社高電流イオン注入装置開発の機械開発エンジニアリーダー
職種	機械設計電気・電子制御設計半導体設計
業種	その他
勤務地	東京都中国
仕事内容	企業の更なる飛躍的な発展を目指し、膨大な市場需要を満たすため、近年半導体産業に進取することにしました。傘下にはMOCVD装置・SiCエピタキシャル装置を研究開発・製造する子会社を立ち上げました。全て自社研究開発を行う技術を最重視する企業理念の元に、半導体産業の最先端技術で盛んになる日本に2021年4月に法人を立ち上げました。自社研究開発したMOCVD装置・SiCエピタキシャル装置は来年に量産をはじめ、５Gの時代にて世界一の膨大な市場へ供給する予定です。引き続き、末端市場の需要を幅広く満足できますよう、自社高電流イオン注入装置開発を計画しております。末端のユーザー側と共同開発することと、自社研究開発チームを管理しプロセス研究を行います。５Gの時代にて世界一の膨大な市場である中国側の需要を満たすため先駆的な装置開発機械開発リーダーを募集します。【会社説明】弊社は、中国無錫市に本社を置く上場企業の日本法人です。 2002年に設立され、下記7つのメイン事業を中心に拡大してまいりました。2015年に上場した際時価総額は300億元を超え、現在時価1,000億元（1.7兆円）の企業に成長位たしました。＜事業例＞・リチウム電池インテリジェント設備・太陽光発電インテリジェント設備・3Cインテリジェント設備・インテリジェント物流システム・自動車インテリジェント生産ライン・燃料電池スマート設備とレーザー精密加工企業の更なる飛躍的な発展を目指し、膨大な市場需要を満たすため、近年半導体産業に進取することにしました。傘下にはMOCVD装置・LPE装置を研究開発・製造する子会社を立ち上げました。企業の更なる飛躍的な発展を目指し、膨大な市場需要を満たすため、近年半導体産業に進取することにしました。傘下には先端的なALD技術にてウエハを製造する子会社、GaN-On-GaNパワー半導体、高周波デバイスを量産する子会社、MOCVD装置を研究開発・製造する子会社を続々と立ち上げました。全て自社研究開発を行う技術を最重視する企業理念の元に、半導体産業の最先端技術で盛んになる日本に2021年4月に法人を立ち上げました。世界一の市場需要、快速な量産化が実現できる中国と世界的に半導体産業の技術革新をリードする日本と提携し、共同開発、技術買収、M&A事業などとを行う予定です。
労働条件	勤務地：中国無錫市契約期間：期間の定めなし試用期間：あり（３カ月）就業時間：９:00～１8:00（休憩1時間）休日：土日、祝日残業：あり社会保険：健康保険、厚生年金、労災保険、雇用保険
応募資格	【必須（MUST）】【必須】半導体の知識真空環境に耐える機構設計知識発塵を抑えるノウハウ 2DCADの使用スキル 3DCADの使用スキル高電圧を取り扱う装置設計知識放射線漏洩防止設計知識：CVD、PVD等半導体用装置において機械設計・開発のご経験が10年以上にある方を最優先します。【歓迎（WANT）】【歓迎】 ■中国語、英語でのコミュニケーションが可能な方（本国とのコミュニケーションで活用頂きます。） ■中国勤務可能の方（日本法人所属または中国現地ホールデング所属のどちらも検討可能）
アピールポイント	新規事業海外事業成果報酬型管理職・マネージャー完全土日休み
リモートワーク	可「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策	喫煙室設置
更新日	2024/03/27
求人番号	2871285

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