採用企業案件

最終更新日:2026/08/13

Principal Engineer, IPD Process Technology

800万円〜1,000万円

回路・実装設計 電気・電子制御設計 半導体設計

半導体

東京都

Uターン・Iターン歓迎
管理職・マネージャー
完全土日休み
フレックスタイム

仕事内容

当社は2035年までに収益200億ドル超の達成を目標に掲げ、先端半導体ソリューションの可能性をさらに広げてまいります。 これを踏まえ、当部門では市場拡大が続くIntelligent Power Device(IPD)に注力し、製品ポートフォリオのさらなる拡充に挑戦しています。 このたび、当社のウェハプロセスロードマップを定義し、ウェハプロセスをさらに前進させるために開発を推進できるIPD分野での要求事項や制約事項を理解している経験豊富なプロセス/設計エンジニアを募集しております。 当チームでは、互いの専門性を尊重し高め合いながら成長できる風土を大切にしています。 これまでのご経験とスキルを活かし、共に新たな価値を創造していただける方からのご応募をお待ちしております。 【主な業務内容】 - 中長期の製品ロードマップを理解し、ウェハプロセス技術戦略の立案に貢献。 - ウェハプロセス開発の技術リーダーとして、要求事項を満足するプロセスが確実にリリースできるようプロセス開発部隊と協力して開発を推進。 - 車載向けに求められる信頼性・安全性規格(AEC-Q100, 012、機能安全ISO 26262等)を理解し、ウェハプロセス仕様へ適切に反映。 - 開発スケジュール・コスト・リスクを管理し、QCD目標の達成にコミット。 - ウェハプロセス評価をサポートし、予期せぬ結果や不具合に対しても根本原因を解析し、解決まで導く。 - ウェハープロセス開発のエンドツーエンドの独自提供を行い、品質、コスト、スケジュール目標を満たす堅牢でスケーラブルかつ信頼性の高いプロセスリリースを保証。 - リスクの特定と軽減戦略をリードし、技術的およびプログラムリスクに積極的に対処して予測可能な実行を実現 - 経験の浅いチームメンバーを指導・育成し、組織全体の技術力底上げに貢献。 ※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。

労働条件

契約期間:期間の定めなし 試⽤期間:あり(3カ⽉) 就業時間:8:45~17:30(基本実働7.75時間、休憩60分) 年間有給休暇日数:入社年度分の付与1日~23日(入社月で異なる)入社翌年度分の付与25日 年間休日数:132日(年間休日125日+特別休暇2日+夏休み(5日:各人の有休消化)) 社会保険:健康保険、厚⽣年⾦、労災保険、雇⽤保険 受動喫煙防⽌措置:屋内原則禁煙(喫煙専⽤室設置) 【勤務地】 ルネサス武蔵事業所

応募資格

必須(MUST)

・8年~10年以上のIPDまたはPoMOSのプロセス/デバイス開発経験 ・プロセス/デバイス開発リーダーを経験し、複数の開発メンバーを牽引した経験 ・IPDに使用されるPoMOS(構造、特性)に対する豊富な知識 ・IPDに使用されるPoMOSを駆動方法に対する豊富な知識 ・車載システムのフォールトケース、負荷条件に対する豊富な知識 ・IPDの信頼性とプロセスの関係性の知識と経験 ・EAS, IAS, TSOA等のターゲット設定と問題解決能力

歓迎(WANT)

・CMOSプロセスに関する経験と知識 ・TCADに関する経験と知識 ・EMC/ESDに関する経験と知識 ・パッケージ技術の知識 ・半導体物理の知識 ・熱設計の知識

求人番号:8852010

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