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| 部署・役職名 | SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発 |
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| 仕事内容 |
■職務内容 電気自動車（BEV）等の航続距離延長・電力消費効率向上に劇的な効果をもたらす次世代パワー半導体「SiC（炭化ケイ素）」や「GaN（窒化ガリウム）」のデバイス設計、およびウェハプロセスの研究開発。 【具体的には】 ① 次世代のインバータや車載充電器の要求性能（低損失、高耐圧化、高速スイッチング等）を満たす、SiC/GaNデバイスの新規構造設計（トレンチゲート等） ② TCADシミュレータ等を用いたデバイスの電気的・熱的特性のシミュレーション、および最適化設計 ③ SiC/GaN特有の難加工素材に対する、ウェハプロセス（エピタキシャル成長、イオン注入、エッチング、成膜等）の新規要素技術開発および条件出し ④ クリーンルームでの試作（ウェハプロセス流動）、および評価装置を用いた電気特性評価・信頼性評価 ⑤ 材料メーカーや装置メーカーとの共同開発推進、および量産に向けた生産技術部門への技術移管 ■ポジションの魅力 ・自動車の電動化における「ゲームチェンジャー」として世界中で開発競争が激化しているSiC/GaNパワー半導体の最前線で、技術的ブレイクスルーに挑戦できる非常にエキサイティングな研究です。 ・デバイス設計からプロセス開発、評価までを一貫して担当でき、自身の開発したデバイスが世界中の次世代エコカーの性能を決定づけるという大きなやりがいがあります。 ・自社内に最新鋭のクリーンルームと評価設備を保有しており、半導体研究者として最良の環境で専門性を追求できます。 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・半導体業界、または電子部品メーカーにおける、半導体デバイス設計、またはプロセス開発の実務経験（3年以上）・半導体物理、デバイス物性に関する高度な専門知識 ・TCADを用いたシミュレーション経験、またはクリーンルームでのプロセス実験・評価の経験 ・未知の課題に対して自ら仮説を立て、実験・解析を通じて論理的に解決を図る研究開発マインド 【歓迎（WANT）】 ・SiC、GaN等のワイドバンドギャップ（WBG）半導体、またはパワー半導体の開発経験・半導体の信頼性評価、または不良解析の経験 ・パワーエレクトロニクス回路（インバータ等）に関する基礎知識 ・英語力（TOEIC600点以上、海外論文の読解が可能なレベル） |
| リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/08/05 |
| 求人番号 | 9441032 |
採用企業情報
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この求人の取り扱い担当者
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- メーカー
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- ※12/26（金）~01/04（日）までお休みをいただいております※ 製造メーカーから通信・ITまで幅広く担当。 第二新卒からシニア層の方まで、幅広くご内定実績がございます。 内定獲得のための面接対策に自信あり。 ご相談も含め、是非ともお声がけくださいませ。
- (2025/12/24)
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