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【茨城】次世代パワー半導体GaNの結晶成長技術開発担当者(リーダー候補~リーダー)

年収: 800万 ~ 1400万 ?

採用企業案件

採用企業

三菱ケミカル株式会社

  • 東京都

    • 資本金53,229百万円
    • 会社規模5001人以上
  • 化学・石油
  • 素材
部署・役職名 【茨城】次世代パワー半導体GaNの結晶成長技術開発担当者(リーダー候補~リーダー)
職種
業種
勤務地
仕事内容 【職務概要】
次世代パワー半導体である窒化ガリウム(GaN)の気相法による結晶成長技術開発をご担当いただきます。
中長期的な視点に立ち、特に次世代製品(大口径基板・低欠陥密度基板・低抵抗品基板 等)の新製品開発に重きを置いた、挑戦的かつ自由度の高い開発業務をお任せします。

<担当業務項目>
GaNの結晶成長技術の開発業務を中心に、ご経験やご希望などを踏まえて以下に例示する担当業務をご提案いたします。
本ポジションは中長期の技術開発・新製品創出を担う"攻めの研究開発"を行うポジションです。

◇新製品の結晶成長技術開発
 :大口径・低欠陥密度・低抵抗品など、次世代基板の結晶成長技術を創り上げる開発業務を行います。

◇既存製品の歩留り改善や、品質安定化
 :結晶成長起因の歩留り低下や品質不良に関する不良に対し、原因解析からプロセス改善まで一気通貫で歩留まり向上を図ります。

【このポジションの魅力】
脱炭素・省エネ社会の実現に向けて世界的に需要が拡大する次世代パワー半導体「GaN(窒化ガリウム)」。
本ポジションでは、その心臓部となる高品質GaN基板の"結晶成長技術"の開発を、最前線でリードしていただきます。
「より大口径に」「より高品質に」「より低コストに」――まだ世界の誰も到達していない領域に挑み、自らの技術が製品となり社会を動かしていく手応えを味わえる、研究開発職ならではのやりがいに満ちたポジションです。

【仕事の面白さ・成長機会】
・結晶成長は「材料の根幹」を司る奥深い技術領域。装置・プロセス・解析・品質まで幅広い知見が身につき、化合物半導体のスペシャリストとして市場価値の高いキャリアを築けます。
・基礎検討から量産化まで開発の全工程に関与でき、自らのアイデアを製品として世に送り出す達成感を得られます。
・社内の加工・デバイス部門や生産現場とも連携し、技術の上流から下流までを俯瞰できる環境です。

【GaN事業の魅力・将来性】
会社としての注力(戦略)事業です。データセンター・パワーエレクトロニクス用途、レーザーダイオード等のオプトエレクトロニクス用途、パワーエレクトロニクス用途、いずれも成長が続いており投資を継続しています。未来の社会を支える基幹材料として重要な位置づけを持つ高品質な「GaN」基板の供給を通じ、燃費・発電効率向上といったエネルギーミニマム社会への実現に、技術者として直接貢献できます。

【配属組織・働く環境】
・半導体前工程グループにて、結晶成長・ウエハ加工等の開発メンバーと協働いただきます。30~40代を中心とした比較的若く、風通しの良い活気あるチームです。
・経験者の方は即戦力として、関連分野出身の若手の方も先輩のサポートのもと着実に成長いただける、挑戦を歓迎する風土です。

【募集背景詳細】
GaN基板事業の拡大・次世代製品の開発強化に伴う募集

【テレワークの利用頻度】
必要に応じ

【将来的に従事する可能性のある職務内容】
会社の定める職務
労働条件 ■雇用形態:
正社員(雇用契約期間の定めなし・三菱ケミカルグループ(株)のグループ各社への在籍出向あり)
雇用会社:三菱ケミカル株式会社
勤務会社:三菱ケミカル株式会社(もしくは出向先グループ会社)

■就業場所(勤務地):
 関東事業所(筑波地区)(茨城県牛久市東猯穴町1000)
 ・JR「ひたち野うしく駅」西口よりタクシーで約5分
 ・つくば牛久IC(学園都市・土浦方面)より車で約5分

■勤務時間:定時 8:30~17:15

■時間外労働:あり

■公休日:土曜日、日曜日、国民の祝日、年末年始、その他

■休暇:年次有給休暇、特別休暇(忌引、結婚等)、積立年次有給休暇 等

■福利厚生等:通勤費補助制度、退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険 等

■加入保険:健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 等

■定年制度:65歳(60歳から変更。2022年4月度より)

■その他:社内公募制度、キャリアチャレンジ制度、勤務地継続制度、勤務地希望制度
※勤務地継続制度は管理職のみ
応募資格

【必須(MUST)】

・学歴:学士以上
・経験職種(年数)・経験内容:化合物半導体の結晶成長技術開発、もしくは結晶成長・薄膜成長に関連する技術開発の経験

【歓迎(WANT)】

・学歴:修士以上
・専攻:物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学(特に化合物半導体の結晶成長を専攻していた方)
・経験業界(年数):3年以上
・経験職種(年数)・経験内容:GaN(窒化ガリウム)の結晶成長技術開発、ウエハ加工等の経験(即戦力として特に歓迎)
・語学力:英語

アピールポイント 女性管理職実績あり 従業員数1000人以上 創立30年以上 年間休日120日以上 産休・育休取得実績あり 教育・研修制度充実 資格支援制度充実 自社サービス・製品あり 日系グローバル企業 上場企業 シェアトップクラス Uターン・Iターン歓迎 完全土日休み フレックスタイム
リモートワーク

「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2026/07/24
求人番号 9277975

採用企業情報

三菱ケミカル株式会社
  • 三菱ケミカル株式会社
  • 東京都

    • 資本金53,229百万円
    • 会社規模5001人以上
  • 化学・石油
  • 素材
  • 会社概要

    【代表者】代表取締役社長 筑本 学、代表取締役 下平 靖雄
    【資本金】532億2,900万円
    【売上高】4兆4,074億円(2025年3月期)※連結売上収益
    【従業員数】連結38,589人、単独13,249人(2025年3月31日現在)
    【本社所在地】東京都千代田区丸の内1-1-1
    【製造拠点】富山事業所、関東事業所、東海事業所、中日本事業所、広島事業所、香川事業所、九州事業所、茨城事業所、岡山事業所、小名浜工場、黒崎工場
    【研究開発拠点】横浜、鶴見(神奈川県)、筑波(茨城県)、茨城、愛知、長浜(滋賀県)、山東(滋賀県)、大垣(岐阜県)、三重、大阪、岡山、広島、福岡

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