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| 部署・役職名 | SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
SiC、GaNパワー半導体（SiC－MOSFET、縦型GaN－MOSFET、横型GaN－HEMT）のデバイスおよびプロセスに関する研究開発。SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発。 ・パワーデバイスの企画、技術動向調査 ・パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計 ・パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発 ・パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計 ・パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析 ・パワーデバイス用ウェハ（GaN基板、SiCエピ成長）の技術開発 ・パワーデバイス用加工装置の導入および改造 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・半導体に関する知識を有すること・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（研究開発、量産経験は問いません） 【歓迎（WANT）】 ・パワー半導体に関する知識を有すること・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上） ・半導体加工設備の導入および改造経験 ・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者 |
| 受動喫煙対策 | 喫煙室設置 |
| 更新日 | 2026/07/15 |
| 求人番号 | 9136410 |
採用企業情報
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