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メモリセルデバイス開発エンジニア_Y2647

年収： 800万～ 1200万

採用企業案件

採用企業

部署・役職名	メモリセルデバイス開発エンジニア_Y2647
職種	研究・開発半導体設計生産技術
業種	電気・電子半導体
勤務地	三重県
仕事内容	【採用背景】近年、AIの活用が急速に進み、扱うデータ量が急激に増えています。それに伴い、データを保存・処理するための半導体ストレージ製品のニーズや性能への要求もますます高まっています。当社では、より多くのデータを保存できる高密度で、壊れにくく信頼性の高い高品質なフラッシュメモリ製品を、いち早く市場に送り出すことで、業界をリードしています。本ポジションの配属先となる当部門は、次世代製品の試作・評価を通じて性能・信頼性の向上を図り、次世代製品として量産可能な技術の確立を目指しています。バイタリティがあり、新しいことに主体的に取り組んでいただける仲間を募集します。これまでの経験を活かしながら、新しい視点や発想で開発をリードしていただくことを期待しています。【組織のミッション】次世代フラッシュメモリ製品の開発を担当しています。フラッシュメモリは、スマートフォンやPC、データセンターなどで使われる不揮発性の記憶装置で、情報社会の基盤を支える技術です。当社のBiCS FLASH™は、メモリセルを立体的に積層し、記憶密度を大幅に向上させた世界最先端の技術です。AIやIoTの普及に伴い、高速・大容量・高信頼のメモリ需要が高まる中、BiCS FLASHTMはその中核技術として進化を続けています。本ポジションでは、次世代製品の試作・評価を通じて性能と品質を向上させ、量産技術の確立を目指します。今後も市場の高い要求に応え、新技術を積極的に取り入れながら効率的な開発を推進していきます。【お任せする業務】次世代フラッシュメモリの開発部署にて、記憶素子として用いられるメモリセルのデバイス開発を担当していただきます。要求性能に基づくターゲット構造の設定から、試作・評価を繰り返し行い、製品の性能および信頼性の向上を図ります。最終的には、次世代製品として量産可能な技術の確立をミッションとしています。主体的に新たな課題に取り組み、技術革新を推進できるバイタリティあふれる技術者のご応募をお待ちしております。【具体的な仕事内容】 ■要求性能に対するターゲット構造の提案 ■試作業務（PC作業、必要に応じクリーンルーム作業） ■性能、信頼性評価、物理解析、分析 ■評価結果より、課題や改善のヒントを発掘、現象を考察、関係者と対応を議論し、対策を進める。 ■量産可能な技術を確立複数の部門と連携しながら業務を進めることで、チーム全体の成果を上げるやりがいのある仕事です。 [従事すべき業務の変更の範囲] （雇入れ直後）上記の通り（変更の範囲）その他会社が指示する業務【使用ツール】　 MS Office, BIツール【業務のやりがい・魅力】自分が携わった製品が世に出ることで、社会に貢献しているという満足感を得ることができます。次世代製品の開発に関わることで、最新の技術や知識を習得し、スキルを向上させることができます。また、自分の仕事が製品の特性や品質向上に直接つながっているため、大きな達成感と責任感を感じられます。デバイス開発業務を進める過程で、論理的思考や問題解決能力が磨かれます。さらに、部門をまたいだ協働を通じて、ファシリテーション能力も高めることができます。【技術優位性】量産を開始しているBiCS FLASH™第８世代品は半導体・オブ・ザ・イヤー2023 グランプリ受賞しており、市場でも性能・品質面で高い評価を得ています。私たちは、BiCS FLASHTM製品の世代開発を担当する部門であり、技術競争力の中核を担っています。【キャリアパスイメージ】数年間の業務経験を積んだ後、習得した知識・スキルや本人の希望を踏まえ、専門性をさらに深めるか、幅広い業務を経験してゼネラリストを目指すかを選択します。いずれの道を選んでも、開発をリードする技術者として活躍していただくことを期待しています。【職場環境】・平均残業時間：25時間/月・在宅勤務：1～2日/週程度可(業務事情による) ・技術者の自由闊達な議論をもとに開発業務を進めます。【研修・育成制度】・技術者教育・メンター制度によるOJT ・部門のリカレント教育
労働条件	・給与：月給33.3万～80万円（想定年収　550万～1260万円） ※上記の下限は初任給（学卒新人）です。経験・能力を考慮し決定・雇用形態：正社員(試用期間2か月、契約期間の定めなし) 【年収例】・950万円／36歳（既婚・子2人／月給53万円＋各種手当＋賞与） ※各種手当には、住宅費補助、家賃補助、次世代育成手当、20時間/月相当の時間外勤務手当含む。・680万円／28歳（独身／月給39万円＋各種手当＋賞与） ※各種手当には、住宅費補助、家賃補助、20時間/月相当の時間外勤務手当含む。・勤務時間：8時30分～17時15分(※休憩時間60分、フレックスタイム制）・休日・休暇：年間休日125日(2026年度)、完全週休2日制(土日)、　祝日、ＧＷ、夏季、年末年始、有給休暇、赴任休暇、介護休暇、妊娠保護休暇、看護等休暇等・諸手当：次世代育成手当（18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月）　住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、在宅勤務手当等・寮・社宅：独身寮、単身寮、家族社宅・その他：昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費支給(規定による)、　在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年金制度、従業員持株制度、健康保険、雇用保険、労災保険等 ※管理職採用の場合、年俸制。フレックスタイム制、次世代育成手当、住宅費補助、時間外勤務手当は対象外 ※場合により嘱託採用の可能性あり・勤務地【Web面接実施中】 ●四日市工場（三重県四日市市）・近鉄富田駅より車10分、バス20分 ※ 名古屋駅より急行で30分弱・東名阪道四日市東ICより車5分・車通勤可・バイク通勤可 ● 敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり) [就業場所の変更の範囲] （雇入れ直後）上記の通り　　　　　　 ※在宅勤務制度利用者は、自宅その他在宅勤務制度実施基準で定める場所を含む（変更の範囲）会社が指定する場所 ※配置転換や転勤・出向などの人事異動等により、就業場所を変更することがある。
応募資格	【必須（MUST）】 ■物理・化学・電気・半導体いずれかの基礎的知識を有する方 ■大規模なものづくりに携わった経験がある方 ■英文での技術文書読解・作成ができる方【歓迎（WANT）】 ■半導体ストレージ（フラッシュメモリ、DRAM等）またはMOSFET等の半導体デバイス開発・設計・評価の実務経験 ■半導体製造プロセス（成膜、リソグラフィ、エッチング等）に関する知識、またはクリーンルーム内での試作・実験の経験 ■物理解析（TEM、SEM、SIMS等）のデータを用いた構造・不良解析の経験 ■信頼性評価（劣化メカニズムの解析、加速試験の設計など）の経験 ■TCAD等のデバイス・プロセスシミュレーションツールの使用経験 ■複数の関係部門（プロセス開発、回路設計、信頼性保証など）と連携し、課題解決を主導した経験 ■英語を用いた海外拠点や社外ベンダーとの技術討論・折衝経験【学歴】大卒以上
アピールポイント	完全土日休みフレックスタイム
リモートワーク	可「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策	屋内禁煙
更新日	2026/06/23
求人番号	8544848

採用企業情報

キオクシア株式会社

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