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| 部署・役職名 | 化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発／売上高5兆超えの総合電機メーカー |
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| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
●職務内容 光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。 結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。 ≪具体的には≫ ■業務内容例 ● InP／GaAs／GaN 系のIII－V 族化合物半導体のエピタキシャル成長 ・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長 ・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整 ・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など） ● 薄膜の評価および解析 ・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など） ・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化 ・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析 ● エピ成長条件の最適化と再現性向上 ・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など） ・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討 ・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化 ・エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理 ● 新規材料／構造のプロセス開発 ・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発 ・新デバイス用途への新規材料展開 将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。 ●組織のミッション ・本部・事業部（高周波光デバイス製作所） 国内・海外顧客並びに社内部門に対する高周波デバイス製品・光デバイス製品の販売・開発 ・ウエハ製造部 高周波デバイス・光デバイスの半導体ウエハ製造、エピ/プロセスの生産技術、要素技術開発 ・エピ技術課 高周波デバイス・光デバイスのエピ構造開発、エピ量産技術 ●業務の魅力 原子オーダーで薄膜を制御するエピタキシャル成長技術は世界トップクラスのシェアを持つ光通信デバイスの性能を支える中核技術であり、「光」を生み出す最上流工程を担う事ができます。 成長条件の最適化から量産化まで、自ら設計したプロセスが製品性能に直結し、理論（量子力学・固体物理）を実装に落とし込む高度なエンジニアリングを実践することができます。 ●事業/製品の強み 当所の製品デバイスは、データセンター向け光デバイスで世界トップクラスシェアを誇る実績を持つほか、5G/6G・衛星通信などにも製品を展開しています。 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ●必須・工学系修士以上または同等の専門知識・スキルを有する方 ・化合物半導体（InP, GaAs, GaNなど）の結晶成長・評価経験に関する実務または研究（3年以上） ・MOCVD、MBEなどの結晶成長装置の操作・プロセス設計経験 ・物性物理、量子力学、電磁気学に関する基礎知識 【歓迎（WANT）】 ●歓迎要件・光通信デバイス、高周波デバイスなどの開発経験 ・成膜・エッチング・評価など周辺プロセスの知識 ・英語スキル（論文調査、海外メーカーとの技術ディスカッションなど） ・Python等を用いたデータ解析やプロセス制御スクリプト経験 |
| リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/06/12 |
| 求人番号 | 8522328 |
採用企業情報
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この求人の取り扱い担当者
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- IT・インターネット メーカー 商社
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- 両面型（企業・求職者様双方を担当）コンサルタントとして、大手グローバルメーカーを中心にご支援しております。書類添削・面接対策含めサポートし、職種、年齢を問わずご入社実績がございます【表彰実績】24年度 通期MVP。24年4月/10月：月間MVP。23年下半期/24年上半期：特別賞
- (2026/04/10)
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