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パワーデバイス開発エンジニア
年収：
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採用企業案件
ルネサス エレクトロニクス株式会社
| 部署・役職名 | パワーデバイス開発エンジニア |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
【募集背景】 当社では、自動車向けの新規半導体デバイスに加え、今後の成長領域としてAI向け半導体デバイスの開発に注力しています。これらの製品に用いられる半導体デバイス開発および製造プロセス開発を強化するため、人材を募集します。 デバイス設計からプロセス開発、量産立ち上げまで幅広く関与し、製品価値の最大化に直接貢献していただきます。 【業務内容】 ▼半導体デバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築及びデバイス測定評価 ・要素プロセス技術、製品設計、品質保証など多部門との連携 ※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。 |
| 労働条件 |
契約期間：期間の定めなし 試⽤期間：あり（3カ⽉） 就業時間：8:45～17:30（基本実働7.75時間、休憩60分） 年間有給休暇日数：入社年度分の付与1日～23日（入社月で異なる）入社翌年度分の付与25日 年間休日数：132日（年間休日125日+特別休暇2日+夏休み（5日：各人の有休消化）） 社会保険：健康保険、厚⽣年⾦、労災保険、雇⽤保険 受動喫煙防⽌措置：屋内原則禁煙（喫煙専⽤室設置） 【勤務地】 ルネサス武蔵事業所 〒187-8588 東京都小平市上水本町5-20-1 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 5年以上（半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験）・半導体デバイス開発未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方 ・日本語：ビジネスレベル ・英語：ビジネスレベル 【歓迎（WANT）】 ・ウエハレベル電気特性測定スキル・TEG（Test Element Group）レイアウト設計スキル |
| アピールポイント | 自社サービス・製品あり 日系グローバル企業 上場企業 従業員数1000人以上 シェアトップクラス 年間休日120日以上 産休・育休取得実績あり 教育・研修制度充実 女性管理職実績あり Uターン・Iターン歓迎 完全土日休み フレックスタイム |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/04/20 |
| 求人番号 | 8148621 |
採用企業情報
- ルネサス エレクトロニクス株式会社
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