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◆ボーナス最低保証2か月＋当期利益連動賞与◆世界をリードするパワー半導体デバイスの設計エンジニア｜フレックスタイム制

年収： 800万～ 1000万

採用企業案件

採用企業

部署・役職名	◆ボーナス最低保証2か月＋当期利益連動賞与◆世界をリードするパワー半導体デバイスの設計エンジニア｜フレックスタイム制
職種	研究・開発半導体設計
業種	電気・電子
勤務地	群馬県
仕事内容	-------------------------------- ポジションについて -------------------------------- パワーディスクリート半導体研究開発（R＆D）エンジニア台湾本社R&Dチームおよび関連部門と連携し、研究開発業務を担当していただきます。・SiC / GaN等のワイドバンドギャップ（WBG）半導体の研究開発 →次世代パワー半導体の可能性を追求し、先端技術の開発を推進します。・MOSFET、IGBTの設計開発 →既存の製品ラインナップの性能向上に加え、次世代製品の企画・設計・開発を行います。・パワー半導体デバイスの設計、T-CADを用いたモデリング →T-CADを駆使し、デバイスの特性予測や最適化を行い、革新的なパワー半導体デバイスの設計を具現化します。これらの業務を通じて、台湾R&Dチームと密接に連携し、グローバルな視点で技術課題の解決に取り組み、当社の製品開発を加速させていくことを期待しています。単なる設計・開発に留まらず、最先端技術の追求から製品化まで、一貫して携われるやりがいのあるポジションです。 -------------------------------- このポジションのポイント -------------------------------- ・会社全体としてスピード感を持った意思決定や対応を重視しています。様々なプロジェクトに参加でき、多様な経験を積むことができます。・今までの経験を活かして、最終製品の品質向上に携わることができます。・さまざまな国籍の社員が在籍しており、多くのことを学び吸収できる環境です。 -------------------------------- 当社について -------------------------------- 当社は、1998年に設立された会社です。台湾の上場企業であるヤゲオグループの一員です。本社は台湾・新竹県竹北市にあり、中国および日本に子会社を設立しています。当社はパワー半導体デバイスの設計および製造に注力してきました。主な製品にはMOSFET、IGBT、パワーマネジメントICがあり、自動車、コンシューマーエレクトロニクス、産業オートメーションなど幅広い分野で使用されています。また、台湾で一番早く6インチDMOSプロセスの統合に成功した会社です。
労働条件	【試用期間】正社員（試用期間3カ月）【想定年収】 600万円～1000万円（スキルやご経験を考慮し決定）ボーナス：最低保証2か月＋当期利益連動賞与（台湾本社2025年実績2+0.5か月）給与改定：年1回【勤務地】〒370-0831 群馬県高崎市あら町167　第一生命ビル9階【就業時間】 9:00～18:00（休憩1時間）フレックスタイム制：出勤8:00~10:00 退勤17:00~19:00 残業：繁忙期30～40時間程度、別途残業代支給【休日休暇】・年間休日127日・土日・祝日・年次有給休暇（入社半年経過後10日付与）・ゴールデンウイーク・シルバーウイーク・年末年始【福利厚生】・通勤手当：会社規定に基づき支給・社会保険完備・退職金制度（iDeco+）・住宅手当・引っ越し手当・単身赴任手当・語学勉強支援手当
応募資格	【必須（MUST）】・パワーディスクリート半導体の設計経験 T-CADによるモデリング【歓迎（WANT）】・SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体の設計経験・英語または中国語の語学スキルがあれば、なお可
アピールポイント	Uターン・Iターン歓迎新規事業海外事業マネジメント業務なし完全土日休みフレックスタイム月平均残業時間20時間以内
リモートワーク	不可
受動喫煙対策	屋内禁煙
更新日	2026/04/21
求人番号	8085622

採用企業情報

富鼎先進電子株式会社

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