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<群馬>Principal Medium Voltage Power MOSFET Design Engineer

年収: 800万 ~ 1000万 ?

採用企業案件

採用企業

ルネサス エレクトロニクス株式会社

部署・役職名 <群馬>Principal Medium Voltage Power MOSFET Design Engineer
職種
業種
勤務地
仕事内容 【募集背景】
当社では、中耐圧(MV)パワートレンチ MOSFET 設計チームにおいて、次世代の シールドゲート型トレンチ MOSFET 技術 の設計・開発を担っていただける、高い意欲と技術力を備えたエンジニアを募集しています。
本ポジションでは、プロセスインテグレーションチーム、アプリケーションチーム、マーケティングチーム、ならびに外部ファウンドリパートナーと密に連携しながら、技術革新の推進、デバイス性能の最適化、製品の量産化加速において中核的な役割を担っていただきます。


【主な業務内容】
• 次世代中耐圧(MV)シールドゲート型トレンチ MOSFET 技術に向けた
• 主要プロセスモジュールの定義および確立
• TCAD シミュレーション環境(デッキ)の構築、および先進的なデバイス設計コンセプトの提案
• 各開発イテレーションにおける、ウェハレベル電気特性評価および
• パッケージレベル性能データの解析
• 歩留まり改善活動の主導、ならびに量産立ち上げに向けた技術移管の支援
• 確立・成熟した技術プラットフォームをベースとした派生製品の開発への貢献

※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。
労働条件 契約期間:期間の定めなし
試⽤期間:あり(3カ⽉)
年間有給休暇日数:入社年度分の付与1日~23日(入社月で異なる)入社翌年度分の付与25日
年間休日数:132日(年間休日125日+特別休暇2日+夏休み(5日:各人の有休消化))
社会保険:健康保険、厚⽣年⾦、労災保険、雇⽤保険
受動喫煙防⽌措置:屋内原則禁煙

【勤務地】
ルネサスエレクトロニクス株式会社 高崎事業所
群馬県高崎市西横手町111
応募資格

【必須(MUST)】

・パワー半導体デバイスまたはプロセス開発における 15年以内の実務経験
・パワーデバイス物理および半導体製造プロセスに関する確かな知識
・TCAD ツールを用いたシミュレーションおよびデバイス解析の実務経験
・英語・日本語ともに読み書きおよび会話が可能なレベル(中級以上)

【歓迎(WANT)】

・電気工学、物理学、または関連分野における修士号(M.S.)以上(博士号(Ph.D.)保持者歓迎)
・Si ベースの中耐圧シールドゲート型トレンチ MOSFET の経験

アピールポイント 自社サービス・製品あり 日系グローバル企業 上場企業 従業員数1000人以上 シェアトップクラス 年間休日120日以上 産休・育休取得実績あり 教育・研修制度充実 女性管理職実績あり Uターン・Iターン歓迎 完全土日休み フレックスタイム
受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2026/04/02
求人番号 7934975

採用企業情報

  • ルネサス エレクトロニクス株式会社

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