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| 部署・役職名 | <群馬>Principal Medium Voltage Power MOSFET Design Engineer |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
【募集背景】 当社では、中耐圧(MV)パワートレンチ MOSFET 設計チームにおいて、次世代の シールドゲート型トレンチ MOSFET 技術 の設計・開発を担っていただける、高い意欲と技術力を備えたエンジニアを募集しています。 本ポジションでは、プロセスインテグレーションチーム、アプリケーションチーム、マーケティングチーム、ならびに外部ファウンドリパートナーと密に連携しながら、技術革新の推進、デバイス性能の最適化、製品の量産化加速において中核的な役割を担っていただきます。 【主な業務内容】 • 次世代中耐圧(MV)シールドゲート型トレンチ MOSFET 技術に向けた • 主要プロセスモジュールの定義および確立 • TCAD シミュレーション環境(デッキ)の構築、および先進的なデバイス設計コンセプトの提案 • 各開発イテレーションにおける、ウェハレベル電気特性評価および • パッケージレベル性能データの解析 • 歩留まり改善活動の主導、ならびに量産立ち上げに向けた技術移管の支援 • 確立・成熟した技術プラットフォームをベースとした派生製品の開発への貢献 ※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。 |
| 労働条件 |
契約期間:期間の定めなし 試⽤期間:あり(3カ⽉) 年間有給休暇日数:入社年度分の付与1日~23日(入社月で異なる)入社翌年度分の付与25日 年間休日数:132日(年間休日125日+特別休暇2日+夏休み(5日:各人の有休消化)) 社会保険:健康保険、厚⽣年⾦、労災保険、雇⽤保険 受動喫煙防⽌措置:屋内原則禁煙 【勤務地】 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高崎事業所 群馬県高崎市西横手町111 |
| 応募資格 |
【必須(MUST)】 ・パワー半導体デバイスまたはプロセス開発における 15年以内の実務経験・パワーデバイス物理および半導体製造プロセスに関する確かな知識 ・TCAD ツールを用いたシミュレーションおよびデバイス解析の実務経験 ・英語・日本語ともに読み書きおよび会話が可能なレベル(中級以上) 【歓迎(WANT)】 ・電気工学、物理学、または関連分野における修士号(M.S.)以上(博士号(Ph.D.)保持者歓迎)・Si ベースの中耐圧シールドゲート型トレンチ MOSFET の経験 |
| アピールポイント | 自社サービス・製品あり 日系グローバル企業 上場企業 従業員数1000人以上 シェアトップクラス 年間休日120日以上 産休・育休取得実績あり 教育・研修制度充実 女性管理職実績あり Uターン・Iターン歓迎 完全土日休み フレックスタイム |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/04/02 |
| 求人番号 | 7934975 |
採用企業情報
- ルネサス エレクトロニクス株式会社
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