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| 部署・役職名 | パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発 具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。 ・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計 ・単結晶製造設備制御技術開発 ・ウェハ製造のための、生産技術開発 ・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計 ・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理 ・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝 ・開発技術の権利化 |
| 労働条件 |
契約期間：期間の定めなし 使用期間：有（3ヶ月） 就業時間：フレックスタイム制/標準労働時間8h コアタイム10時10分から14時25分 （東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分） 休日：週休2日制（土曜日・日曜日） 想定年収：650万円～1,430万円 諸手当：家族手当、時間外勤務手当、通勤手当など ※手当支給には会社規定の条件があります。 社会保険：雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方 ・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方 ・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方 ・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方 ・半導体装置（結晶成長、加工、エピ）開発、設計を3年以上お持ちの方 【歓迎（WANT）】 下記のいずれかの知識・経験を有している方・気相反応（CVD）、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験 ・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識 ・パワー半導体材料、単結晶に関する知識 ・技術開発における推進リーダ経験 ・海外企業との折衝経験 ・語学力（英語）：海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル（TOEIC610点以上） |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/01/23 |
| 求人番号 | 6612974 |
採用企業情報
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- IT・インターネット メーカー
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