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【SiC/GaNデバイスの設計開発】ポテンシャル採用
年収：応相談
採用企業案件
Anjet Research Lab株式会社
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- 資本金70百万円
- 会社規模非公開
- 半導体
| 部署・役職名 | 【SiC/GaNデバイスの設計開発】ポテンシャル採用 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
■仕事内容 化合物半導体を用いたパワーデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。 入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。 ＜具体的な業務内容の例＞ ・SiC/GaNパワーデバイス（MOSFET、SBDなど）の構造設計・シミュレーション ・TCADを活用したデバイスパフォーマンスの最適化 ・試作～特性評価（電気的・熱的） ・顧客要求仕様の分析と製品スペック設計 ・量産移管に向けたプロセス部門との連携および最適化支援 従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！ 刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。 ※国内外各地からメンバーが集まっております！ ■本ポジションの魅力・独自性 ◆「工場の制約」から解放された、真のファブレス開発 「作りたいデバイスに最適な工場」を世界中から選定できます。 「物理法則とスペック」に向き合える、設計者としての本質的な仕事に集中できます。 ◆SiC/GaN開発を「本業」として、全精力を注げる環境 事業の100%を次世代パワーデバイスに特化。 既存事業の収益に依存した「将来の投資枠」として扱われるのではなく、 「主力事業」としてSiC/GaNのプロセス開発に没頭できる、他にはない没入感があります。 ◆「半導体業界のレジェンド」が集う技術密度 TI、三菱電機、日立など出身のベテラン勢が多数在籍。 組織の壁に悩まされず、プロフェッショナル同士、阿吽の呼吸で開発が進む刺激的な環境です。 ◆グローバルな協業環境 日常業務で台湾本社や海外のファウンドリーと連携。 京都にいながら、あなたの市場価値を「世界基準」へアップデートする経験が積めます。 ◆報酬・キャリアの魅力（ストックオプション × IPO） 安定した高年収（～1000万円）に加え、IPOを目指すベンチャーならではのストックオプションをご用意。ご自身の設計が会社の成長に直結する、夢のあるフェーズです。 ◆京大桂キャンパス隣接：産学連携の最前線 拠点は「京大桂ベンチャープラザ南館」。 京都大学桂キャンパスの研究施設に隣接しており、 最新の研究成果へのアクセスや共同研究の推進がスムーズに行えます。常に最先端の技術知見に触れながら、イノベーションの震源地で開発に没頭できます。 ■配属先情報 大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で20～30年以上の経験を持つメンバーで構成されております。 ■当社について 高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 従来の垂直統合型で進めていた日本の半導体メーカーと一線を画し、水平分業型のビジネスモデルを取っております。 台湾のヘッドクォーターのエンジニア、台湾・香港・アメリカ等のファウンドリーメーカーとのエンジニア等と協業し、プロセスインテグレーションを進めております。SiCに強いファウンドリーが少ない中で、これまでにない半導体を生み出すために技術的な支援を推進。 今後、これまで積み上げてきた技術を商品化（量産化）していくための人員の強化を進めています。 また2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行います。 ■企業の特色 ・Si、SiC、GaNなどのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社として2019年12月に設立 ・電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー |
| 労働条件 |
【雇用形態】 正社員 期間の定め：無 試用期間：3ヶ月 試用期間中の勤務条件：変更無 【勤務地】 本社 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208・2103号室 最寄駅：JR 東海道本線 桂川駅、阪急電鉄 阪急京都線 桂駅 転勤：無 マイカー通勤：可（駐車場8,800円/月） 喫煙環境：敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり） ※JR桂川駅/阪急桂駅から桂イノベーションパークまでバス有 【勤務時間】 所定労働時間8時間 休憩：60分 残業：無 【給与】 年俸制 【休日・休暇】 年間休日120日 ※暦により数日の変動あり 完全週休二日制、土曜、日曜、祝日、その他 有給休暇：10日～ 【待遇・福利厚生】 社会保険：健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 服装自由（全従業員利用可） ストックオプション（全従業員利用可） 従業員専用駐車場あり（全従業員利用可） 通勤手当（会社規定に基づき支給） |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・SiC、GaN、またはシリコンパワーデバイスの開発経験（3年以上）・TCAD（Synopsys、Silvaco等）経験者 ・半導体デバイス物性・電気特性の知識 |
| アピールポイント | Uターン・Iターン歓迎 完全土日休み 月平均残業時間20時間以内 海外事業 |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2025/12/16 |
| 求人番号 | 6301830 |
採用企業情報
- Anjet Research Lab株式会社
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- 資本金70百万円
- 会社規模非公開
- 半導体
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会社概要
【設立】2019年12月3日
【代表者】Jimmy Wu（呉 文景）
【資本金】7,000万円
【本社所在地】京都府京都市西京区御陵大原1-39
【事業内容】半導体デバイス設計
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