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(技術開発統括部・第2技術部)エッチングプロセスエンジニア(RIE)

年収:800万 ~ 1500万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 (技術開発統括部・第2技術部)エッチングプロセスエンジニア(RIE)
職種
業種
勤務地
仕事内容 最先端半導体製造プロセスにおいて、Cu Dual Damascene構造の形成に関するエッチング技術開発を担当いただきます。
プロセス開発から装置評価、量産立ち上げ支援まで、技術の中核を担うポジションです。

・Cu Dual Damascene構造に対応したエッチングプロセスの開発・最適化
・プラズマエッチング装置の選定・条件設定・評価(ハードマスク、低k材料対応含む)
・微細パターン形成における選択性・異方性・ダメージ制御技術の検討
・製造工程との連携によるプロセスインテグレーション支援
・装置メーカーとの技術折衝・共同開発
・プロセス安定性・再現性の評価および改善提案
応募資格

【必須(MUST)】

必須スキル・経験

・半導体業界におけるエッチングプロセス開発経験
・Cu Dual Damascene構造に関するプロセス開発・量産立ち上げ経験
・プラズマエッチング装置の操作・条件設定・評価経験
・日本語:ビジネスレベル、英語:読み書き可能なレベル





【歓迎(WANT)】




リモートワーク

「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2025/10/02
求人番号 5826800

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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