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電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発

年収:800万 ~ 1500万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子(GaNーHEMT)の企画/開発/設計業務
具体的には、以下の業務に携わっていただきます。
◆車載用GaN-HEMTの製品企画/仕様検討
 ・技術ニーズ調査
 ・技術動向調査
 ・目標仕様調整および設計

◆車載用GaN-HEMTデバイス設計
 ・デバイスシミュレーション
 ・構造検討およびレイアウト設計
 ・素子試作評価、分析解析
 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック
応募資格

【必須(MUST)】

半導体素子の設計および開発経験または構造、動作原理、特性、評価技術に関する知識をお持ちの方
 ※パワー半導体の経験有無は問いません

【歓迎(WANT)】

以下いずれかのご経験をお持ちの方
・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 
・半導体素子の設計および開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方
・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

リモートワーク

「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策

喫煙室設置

更新日 2025/07/23
求人番号 5220581

採用企業情報

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