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| 部署・役職名 | 【京都】パワー半導体デバイスのデバイス試作エンジニア※WEB面接可 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
【業務概要】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイス のいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。 SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けデバイス試作 （パッケージ/モジュール）を強化するための採用です。 また2022年からはGaN Projectもスタートし各々のWide Band Gap材料による特徴ある新機能性デバイスの設計・開発を行っていく。 |
| 労働条件 |
所定労働時間8時間 休憩：60分 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ＜必須条件＞いずれか経験がある方・パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 ・ファウウンドリーでのデバイス試作経験 ・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 ・パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験 ＜歓迎条件＞ ・英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 |
| 受動喫煙対策 | 対策なし |
| 更新日 | 2025/05/22 |
| 求人番号 | 4740197 |
採用企業情報
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- 会社規模1-30人
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