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| 部署・役職名 | デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア（国内勤務） |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。 ・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセスの提案と、その実行をプロセス部門と進める。 ・実験水準提案、デバイス特性を測定解析、その結果をプロセス開発にフィードバックして改善を進める。 ・各種デバイスパラメター取得し、設計環境部門協力してFEOL設計環境の構築を行う。 ＊対象とするデバイスはCMOSトランジスタの他に、アナログデバイス（受動素子やESDデバイス含む）やSRAMも含みます。 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 必要スキル：・トランジスタ開発について2年以上の経験を有する方。または、大学で研究経験のある方。 【歓迎（WANT）】 歓迎・プロセス開発の経験 ・TEG設計の経験 ・TEG測定評価・解析の経験 ・デバイスパラパラメータ抽出の経験 ・デザインルール設定の経験 ・プロセス部門、設計環境部門と連携して業務を行った経験 【語学】 TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力 |
| 受動喫煙対策 | その他 「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください |
| 更新日 | 2024/09/24 |
| 求人番号 | 3895889 |
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- メーカー 商社 エネルギー
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