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半導体製造<イオンビーム開発>

年収:800万 ~ 1000万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 半導体製造<イオンビーム開発>
職種
業種
勤務地
仕事内容 ■国内トップクラスのシェアを誇る「半導体製造用イオン注入装置」におけるビームライン(イオンを引き出し、ビームにする工程)の研究開発を担当して頂きます。



【具体的には】

・半導体製造装置におけるイオン源・ビームライン(イオンを引き出し、ビームにする工程)の研究開発
労働条件 08:00 - 16:45

健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金

通勤手当、住居手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度等

退職金、資格取得等

年間125日/(内訳)完全週休2日制(土日祝)、土曜、日曜、祝日、年末年始、GW、夏季連続休暇、リフレッシュ休暇、有給休暇等
応募資格

【必須(MUST)】

【必須要件】

・物理系全般の知見(真空技術・絶縁技術・材料技術・電磁気学)をお持ちの方

・以下のいずれかに該当する知見をお持ちの方

・ビームライン

ビーム光学計算、イオン・電子分布シミュレーション、電磁場解析、電場生成機器設計原理、磁場生成機器設計原理、ビーム(軸・発散)角度測定原理、ビーム電流・角度モニター精度計算・測定、X,Yスキャン応答性測定、TW,ρs測定原理、プレッシャーコンペンセーション原理、真空度シミュレーション、注入中の中央部ビームモニター、ウェハチャック原理、ウェハ位置モニター、注入中のウェハ温度モニター、注入中のウェハチャージモニター、注入中のパーティクルモニター

・イオン源

イオン源工学、プラズマ物理、ビーム光学計算、ビーム軌道計算、直流プラズマ、マイクロ波プラズマ、電子生成方式、イオン化方式、ECR共鳴、電磁場解析(電子閉じ込め原理)、マイクロ波生成・輸送、プラズマシミュレーション、プラズマ化学反応、スパッター、引き出しシミュレーション、高電圧・放電現象、電子流制御、X線発生・遮蔽計算、ウェハ周辺電荷制御、汚染メタルイオン生成

受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2023/12/22
求人番号 3177520

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

  • 3.02
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    • 大阪府
    • 立命館大学 経済学部
  • メーカー
    • 大手メーカーを中心にIoT関連、機械学習などの案件が増加しております。 またそれ以外にも多くのメーカーでマネージャークラスの採用を積極的に行っております。
    • (2019/11/26)

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