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パワー半導体のデバイス、プロセス研究開発

年収：1000万 ～ 1400万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 パワー半導体のデバイス、プロセス研究開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiCーMOS）のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価　　　　　　　
（以下業務のいずれかに携わっていただきます）
・パワーデバイスの設計、デバイス開発
・パワーデバイスのプロセス工法開発　
・パワーデバイス向け要素技術開発
・パワーデバイスのCAE、試作、評価、解析
労働条件 【雇用形態】正社員
【年収】600万円～1400万円
【勤務地】広瀬製作所（愛知県豊田市）
【就業時間】8:40～17:40（休憩時間：60分）
　　　　　　フレックスタイム制
　　　　　　コアタイム：10:10～14:25
　　　　　　時間外労働有無：有
【休日】週休2日制（休日は土日のみ）
　　　　年間有給休暇10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）
　　　　年間休日日数121日
応募資格

【必須（MUST）】

・パワー半導体に関する知識を有すること　
・半導体デバイスの設計、評価、又はプロセスインテグレーション、またはウェハ加工プロセス技術の開発経験（2年以上）

【歓迎（WANT）】

・デバイス設計、又はプロセスインテグレーション、又はウエハ加工プロセス技術の開発経験（3年以上）
・プロジェクトリーダまたはサブリーダの経験者　

受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2024/04/09
求人番号 3029684

採用企業情報

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