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| 部署・役職名 | IGBTデバイス開発・設計（デバイス／プロセスエンジニア）／年収700～1300万円以上も可／東京・大阪・名古屋・在宅勤務相談可 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
中国の揚州に本社を置く半導体メーカー（IDM）の日本支社にて、IGBTデバイスの開発・設計業務をお任せします。 【具体的には】 ●外部Fabを活用したIGBTチップ開発 ●TCADを用いたデバイス／プロセス設計 ●構造検討・レイアウト設計 ●プロセスインテグレーション ●前工程の量産管理 ●素子試作評価・分析解析 など ※業務内容はご経験に応じて柔軟に決定いたします ※業務により中国への出張が発生する可能性があります （3ヶ月に1～2週間程度／出張ベース） 【募集背景】 IGBT製品事業拡大のため、日本開発センターの人員増強のための募集です。 【配属先】 配属先となる日本支社 開発センター は少数精鋭チームです。まだ小さなチームですので、各人が大きな裁量をもって働ける魅力的な職場です。 【当社について】 ◆中国の揚州に本社を置く半導体メーカー（IDM）の日本支社となります。 2023年にはパワー半導体の世界売上シェアで第10位を記録。 整流ダイオード分野においては世界TOPクラスのシェアを誇り、近年は、PowerMOS・ IGBT・ SiC製品の強化を行っています。 ◆日本法人では、180nm級プロセス技術を採用したIGBTの開発を推進。 日本でプロセス技術を開発し、中国の300mmウエハー工場で製造、2025年5月より日本からサンプル出荷を開始しています。 トレンチピッチの微細化によりオン抵抗を従来比1/3以下に低減し、チップ面積の縮小と性能向上を両立。製造効率とコスト競争力を高める技術力が強みです。 ◆同社は前工程・後工程を含む15工場を自社で保有し、インゴット設計・製造までを内製化。高い内製比率により、安定供給と短納期を実現しています。半導体プロセス・デバイス開発経験をお持ちの方で、IGBT分野に関心のある方には、非常に魅力的なポジションです。 |
| 労働条件 |
【雇用形態・雇用期間】 正社員・雇用期間の定めなし 【勤務地】以下ご希望の勤務地 ・日本支社：東京都中央区東日本橋 ・大阪支店：大阪市淀川区 ・名古屋支店：検討中（2026年予定） ※支店オープンまでは在宅勤務にてお願いします。 ＜勤務地共通＞ ◎原則、勤務は出社ですが、難しい場合は在宅勤務も検討致します。 【年収】 700万円～1,300万円 ※現在の年収以上でご相談させていただきます。 ※ご経験により1300万円以上も可能です。 【昇給】あり 【賞与】年2回 【勤務時間】 9:00～17:00（所定労働時間：7時間） 【休日休暇】 ●年間休日120日 ●完全週休2日制（土日）、祝日 ●夏季・年末年始 ●慶弔休暇 ●有給休暇：初年度10日（入社半年経過時点） 【待遇・福利厚生】 ●各種社会保険完備 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ▼以下いずれかのご経験をお持ちの方●IGBTデバイス設計経験（デバイスエンジニア） ●Trench MOSまたはIGBTのプロセス開発経験（プロセスエンジニア） ●高耐圧パワーデバイスの開発経験 【歓迎（WANT）】 ●IGBT開発経験●パワーデバイス応用技術の知見 ●プロセスインテグレーション経験 ●熱処理、リソグラフィ、エッチング、メタライズ等の要素技術経験 ※年齢不問。知識・経験・開発への意欲を重視します。 ※語学力は問いません。 |
| リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/04/27 |
| 求人番号 | 3024569 |
採用企業情報
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- 会社規模5001人以上
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- 建設 メーカー 物流・倉庫
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