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IGBTデバイス開発・設計（デバイス／プロセスエンジニア）｜年収700～1300万円以上も可｜年間休日120日｜東京・大阪・名古屋・在宅勤務相談可

年収：800万 ～ 1300万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 IGBTデバイス開発・設計（デバイス／プロセスエンジニア）｜年収700～1300万円以上も可｜年間休日120日｜東京・大阪・名古屋・在宅勤務相談可
職種
業種
勤務地
仕事内容 IGBTデバイスの開発・設計業務をご担当いただきます。
ご経験や専門領域に応じて、
以下の業務のいずれかまたは複数をご担当いただきます。

－ 外部Fabを活用したIGBTチップ開発
－ TCADを用いたデバイス／プロセス設計
－ 構造検討・レイアウト設計
－ プロセスインテグレーション
－ 前工程の量産管理
－ 素子試作評価・分析解析　など

※業務内容はご経験に応じて柔軟に決定いたします。
※業務により中国への出張が発生する可能性がありますが、
あくまでも出張ベースです。（3ヶ月に1～2週間程度／出張ベース）

【募集背景】
IGBT製品事業拡大のため、日本開発センターの人員増強のための募集です。

【配属先】
配属先となる日本支社 開発センターは、少数精鋭チームです。
まだ小さなチームですので、各人が大きな裁量をもって働ける魅力的な職場です。
やる気次第で可能性は大きく広がります。
労働条件 【雇用形態・雇用期間】
正社員・雇用期間の定めなし

【勤務地】
以下ご希望の勤務地

・日本支社：東京都中央区東日本橋
・大阪支店：大阪市淀川区
・名古屋支店：検討中（2026年予定）
　※支店オープンまでは在宅勤務にてお願いします。

＜勤務地共通＞
◎原則、勤務は出社ですが、難しい場合は在宅勤務も検討致します。

【年収】
700万円～1300万円
※現在の年収以上でご相談させていただきます。
※ご経験により1300万円以上も可能です。

【勤務時間】
9:00～17:00（所定労働時間：7時間）

【休日休暇】
年間休日120日
完全週休2日制（土日）、祝日、夏季・年末年始、慶弔休暇
有給休暇：初年度10日（入社半年経過時点）

【待遇・福利厚生】
昇給制度あり
賞与年2回
各種社会保険完備
試用期間3カ月有り：条件変動なし
応募資格

【必須（MUST）】

以下いずれかのご経験をお持ちの方を歓迎します。
－ IGBTデバイス設計経験（デバイスエンジニア）
－ Trench MOSまたはIGBTのプロセス開発経験（プロセスエンジニア）
－ 高耐圧パワーデバイスの開発経験

【歓迎（WANT）】

－ IGBT開発経験
－ パワーデバイス応用技術の知見
－ プロセスインテグレーション経験
－ 熱処理、リソグラフィ、エッチング、メタライズ等の要素技術経験

※年齢不問。知識・経験・開発への意欲を重視します。
※語学力は問いません。
リモートワーク

可

「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策

屋内禁煙
更新日 2026/01/07
求人番号 3024569

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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