転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録(無料)が必要です
部署・役職名 | 【神奈川】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア(GaNパワー) |
---|---|
職種 | |
業種 | |
勤務地 | |
仕事内容 |
【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料(SiC/GaN)デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。 【製品】 ディスクリート半導体(GaNを主とするパワーデバイス) 【業務内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しており、川崎にてデバイス開発とプロセスインテグレーションに取り組んでおります。※エピタキシャルプロセスについては、兵庫にて研究開発中。 株式会社東芝の研究開発センターや各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 |
労働条件 |
【勤務地】 神奈川県川崎市 【給与】 年収 450万円 〜 1000万円 ●経験・年齢等を考慮の上、決定します。 【年収例】 700万円/アプリケーションエンジニア・36歳(月給37万円+手当) 500万円/デバイス開発・28歳(月給25万円+手当) 【諸手当】 住宅手当、次世代育成手当、通勤手当、時間外勤務手当、深夜手当など(当社規定による) ※エキスパート級での採用(年収1,000万円)については管理監督者にあたるため、住宅手当、次世代育成手当、時間外勤務手当等は不支給となります。 【昇給・賞与】 昇給:年1回 賞与:年2回(7月・12月) 【勤務時間】 8:30~17:15(休憩1時間、所定労働時間7時間45分) ※平均残業時間:20h程度 ※会社/事業所により異なる場合があります ※フレックスタイム制度あり ※在宅勤務制度あり 【休日休暇】 年間休日126日(2024年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日 年次有給(初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり)、その他休暇(慶弔・夏季・災害休暇など) 【福利厚生】 寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり 【退職金】 退職金制度あり、確定拠出年金制度あり 【社会保険】 健康保険、労災保険、厚生年金、雇用保険 【備考】 業務の変更範囲:会社の指示する業務 就業場所の変更範囲:会社の指示する場所 (労働者の自宅等リモートワークを行う場所を含む) 【その他】 就業時間内は禁煙、喫煙所の使用は禁止としています |
応募資格 |
【必須(MUST)】 ・半導体デバイス開発またはプロセスインテグレーションの実務経験をお持ちの方(Si半導体のご経験にて問題ございません)【歓迎(WANT)】 ・GaNに関する知見 |
アピールポイント | フレックスタイム Uターン・Iターン歓迎 完全土日休み |
リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
更新日 | 2024/04/26 |
求人番号 | 2944403 |
採用企業情報
転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録(無料)が必要です