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| 部署・役職名 | 【熊本】IGBT・Diode・MOSFETなどの半導体デバイス（表面/裏面）製造プロセス技術開発 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
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| 仕事内容 |
【採用背景】 ・パワーデバイスは、脱炭素社会への貢献に向けたキーデバイスとして、自動車の電動化や民生機器のインバーター化の進展に伴い、グローバルでの高成長が期待されています。また、同社のFA制御システム・空調冷熱システム・ビルシステム・電動化／ADASにおけるキーデバイスでもあることから、同社の重点成長事業と位置づけており、25年度にパワーデバイス事業の売り上げを現在の1.6倍以上となる2400億円以上に引き上げる計画をしています。今後の事業拡大に伴う増員のため、当該業務においてご活躍いただける方を募集しています。 【職務内容】 ・IGBT、Diode、MOSFETなどの半導体デバイス（チップ）製造プロセス技術開発 ≪具体例≫ デバイス構造の開発や改善プロセスなどの技術開発、装置開発（主にウエハの表面/裏面工程のプロセス技術開発を担当） 【組織のミッション】 ・本部・事業部 半導体製品及び半導体関連製品の製造及び販売 ・開発部 製造技術におけるパワーディスクリート、HVICデバイス、センサデバイス、アセンブリ要素技術開発及び将来技術、ならびに特許管理 ・パワーチップ・ダイオードチップのプロセス（表面/裏面）の開発 【業務のやりがい、魅力】 ・脱炭素社会や省エネのキーデバイスとして、グローバルでの高成長を見込むパワーデバイス事業に携わることができます。 ・同製作所で製造するパワーデバイスは、既に世界でも高いシェアを獲得しており、シェアの拡大含め成長を加速させる製品や技術に携わることができます。 【職場環境】 ・在宅勤務制度あり 【想定されるキャリアパス】 ・これまでのご経験や保有する技術スキルに基づき、担当職務を決定し、その職務で一定期間経験を積んでいただきます。その後は個人の適性や業務状況に応じ、各プロジェクトのとりまとめや、グループリーダー、将来的にはマネジメント職等を担っていただく可能性があります。 【勤務地】 ・熊本県合志市の同社事業所 |
| 労働条件 |
就業時間：8:30~17:00（7時間45分就労） 休日休暇：年間休日124日、完全週休2日制（土日休み）、祝日、有給休暇（入社半年経過より付与10日~20日）、年末年始休暇、夏季休暇、結婚休暇、特別休暇、産前産後休暇、配偶者出産休暇、育児休暇、介護休暇 他 昇給・賞与：昇給/年1回、賞与/年2回（5.4ヶ月分支給※2021年度実績） 諸手当：通勤手当、扶養手当（同社規定による）、住居手当 福利厚生：各種社会保険完備、退職金制度、再雇用制度、財形貯蓄、グループ社員持株会、住宅融資・社内融資制度、グループ保険・団体扱保険、時短勤務（育児・介護）、社員持家借上制度、家賃補助制度、保養所・文体施設利用可能、寮・社宅完備 他 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 （下記いずれかのご経験のある方）・半導体デバイス（チップ）構造の設計経験者 ・半導体プロセス技術の開発経験者 ・プロセスインテグレーションの経験者 【歓迎（WANT）】 ・新規プロセス技術の開発に意欲的な方・SiCに関して、結晶やエピタキシャル成長技術に関するスキルをお持ちの方 ・半導体装置メーカ―での業務経験をお持ちの方 【求める人物像】 ・社内外の関係者とコミュニケーションを取りながら、開発を円滑に進めていくことができる方。交渉力のある方。 ・自らの業務に責任感を持って、最後までやり遂げられる方。 ・新しい技術に対して興味を持ち、積極的に活用しようとチャレンジできる方。 |
| リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2024/01/18 |
| 求人番号 | 2830284 |
採用企業情報
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- 会社規模5001人以上
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- IT・インターネット メーカー エネルギー
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