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デバイス、プロセス研究開発＜パワー半導体＞

年収：800万 ～ 1200万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 デバイス、プロセス研究開発＜パワー半導体＞
職種
業種
勤務地
仕事内容 同社にて、電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiCーMOS）のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価業務をご担当いただきます。



【具体的には】

・パワーデバイスの設計、デバイス開発

・パワーデバイスのプロセス工法開発

・パワーデバイス向け要素技術開発

・パワーデバイスのCAE、試作、評価、解析



※同社の社員として関連会社に出向いただきます。
労働条件 08:40 － 17:40（コアタイム 10:10 － 15:25）

健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金

家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など

選択型福利厚生制度（カフェテリアプラン）、個別制度/住宅資金貸付、財経貯蓄、持ち株制度など

施設/独身寮、社宅、保養所、研修センター、各種文化・体育施設など

年間121日／（内訳）完全週休2日制（土日）、GW、夏季・年末年始休暇（各10日程度の連続休暇）、有給休暇（最高20日/1年）、特別休暇
応募資格

【必須（MUST）】

【必須要件】下記何れかのご経験を2年以上お持ちの方

・半導体デバイスの設計、評価

・プロセスインテグレーション

・ウェハ加工プロセス技術の開発経験



【歓迎要件】

・パワー半導体に関する知識を有すること

・デバイス設計、又はプロセスインテグレーション、又はウエハ加工プロセス技術の開発経験（3年以上）

・プロジェクトリーダまたはサブリーダの経験者

受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2023/04/27
求人番号 2713534

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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