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MBEエンジニア

年収:800万 ~ 1500万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 MBEエンジニア
職種
業種
勤務地
仕事内容 ・MBE 装置によるデータ通信やLiDAR 用1.3μm 帯量子ドットおよび加工・バイオメデ
ィカル用1μm 帯量子井戸のエピ技術開発(具体的な業務は以下)。
[1] 1.3μm 帯量子ドット:InAs 量子ドットの更なる特性改善のため高利得化
や長波長化。成長条件・成長方法の提案、エピ実施および特性確認による高性
能量子ドットの開発
[2] 1μm 帯量子井戸:1020-1180nm InGaAs 量子井戸を用いた半導体レーザ
の更なる高出力化・高信頼性のための高歪系のエピ開発
・ウェハ積層構造設計、評価、解析業務
・MBE 装置の維持・管理 ・顧客からの問合せに対する技術対応
労働条件 契約期間:期間の定め無
使用期間:有(6ヶ月)
就業時間:8:40〜17:30(休憩1時間、フレックスタイム制)
休日:土日、祝日、夏季、年末年始
残業:有(平均月20時間)
年収:550万円〜1500万円
年収備考:年収には月45時間分残業代を含むもしくは裁量労働制が適用
社会保険:健康保険、厚生年金、労災保険、雇用保険
屋内の受動喫煙対策:屋内全面禁煙
応募資格

【必須(MUST)】

・MBE 結晶成長装置を用いたウェハの開発経験
・MBE 結晶成長装置の稼働やメンテナンス経験
・MBE 成長に関するメカニズム等の知識
・エピタキシャル積層構造設計、評価、解析についての経験・知識
・III-V 族化合物半導体(GaAs、InAs 等)についての知識、経験
・III-V 族化合物半導体による半導体レーザの基礎知識
・ビジネス英会話(目安:TOIEC 600 点以上)

リモートワーク

「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2023/02/03
求人番号 2581726

採用企業情報

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