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| 部署・役職名 | 化合物半導体開発研究者 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
光通信用機能性センシング用の化合物半導体EPI wafer（Epitaxyエピタキシー、またはEpitaxialエピタキシャル）を生産している企業にて、新商品の研究開発、量産化への研究、リサーチ等。 EPI waferには、大まかに下記の5種類があるが、この度募集をしているのは、②③の人材。 ① Si 材料 ② GaAS 材料（募集中） ③ InP 材料（募集中） ④ GaN 材料 ⑤ SiC 材料 下記、どの商材の方でもOK。 1. Laser 2. detector 3. FP Laser 4. EEL laser 5. VCSEL Laser 6. DFB Laser 7. EML |
| 労働条件 |
■就業情報■ 【予定月収】 40000 中国元～ 165000中国元 【月収予定（備考）】 税込み 年収：50～200万中国元（待遇込）※経験に応じて （日本円で800万円～3200万円） VISA取得にかかる費用、保険：企業持ち 年収の70％を基本給、30％を賞与として旧正月前に支給することも考えているとのこと。その辺は面接にて応相談。 【勤務地】 中国厦門（アモイ） 【就業時間（平日）】 8時30分～ 17時30分 【就業時間補足】 基本：月～金 ■其他 【試用期間給与】 応相談 【試用期間】 有 2ヶ月 【雇用形態】 直接雇用 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 GaAS材料、またはInP 材料の研究開発経験※チップではなくてウェハーの方。 下記、どの商材の方でもOK。 1. Laser 2. detector 3. FP Laser 4. EEL laser 5. VCSEL Laser 6. DFB Laser 7. EML 【歓迎（WANT）】 英語が話せる方尚良 |
| 更新日 | 2021/01/21 |
| 求人番号 | 1628613 |
採用企業情報
- EPI waferを生産している企業
- 会社規模101-500人
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会社概要
化合物半導体（Ⅲ‐V）材料の研究開発、製造、販売を専門としている。
光通信やインテリジェントセンシング向けの高性能レーザ（FP/FP）を中心に、InPやGaAsをベースとした光エレクトロニクス製品、 （DFB/EML/VCSEL）と検出器（MPD/PIN/APD）のエピタキシャルウェハ等を幅広く提供。
MOCVDエピタキシャル生産ラインとそれに対応するテストセンターを建設し、ISO9001認証を取得。
現在、十数件の核心特許と数件の商標などの核心知的財産権を保有し、2017年「※※技術起業家賞」を受賞しています。
この求人の取り扱い担当者
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- メーカー 商社 物流・倉庫
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- 現在、中国（上海）にて ”人と組織の成長を創造する”ことをモットーに人材様のご転職のサポートを提供しております。 お気軽にご連絡下さいませ。
- (2021/06/09)
