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化合物半導体開発研究者

年収:800万 ~ 5000万

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役員面接

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部署・役職名 化合物半導体開発研究者
職種
業種
勤務地
仕事内容 光通信用機能性センシング用の化合物半導体EPI wafer(Epitaxyエピタキシー、またはEpitaxialエピタキシャル)を生産している企業にて、新商品の研究開発、量産化への研究、リサーチ等。

EPI waferには、大まかに下記の5種類があるが、この度募集をしているのは、②③の人材。
① Si 材料
② GaAS 材料(募集中)
③ InP 材料(募集中)
④ GaN 材料
⑤ SiC 材料

下記、どの商材の方でもOK。
1. Laser
2. detector
3. FP Laser
4. EEL laser
5. VCSEL Laser
6. DFB Laser
7. EML
労働条件 ■就業情報■
【予定月収】 40000 中国元~ 165000中国元
【月収予定(備考)】 税込み 年収:50~200万中国元(待遇込)※経験に応じて (日本円で800万円~3200万円)
VISA取得にかかる費用、保険:企業持ち
年収の70%を基本給、30%を賞与として旧正月前に支給することも考えているとのこと。その辺は面接にて応相談。
【勤務地】 中国厦門(アモイ)
【就業時間(平日)】 8時30分~ 17時30分
【就業時間補足】 基本:月~金
■其他
【試用期間給与】 応相談
【試用期間】 有 2ヶ月
【雇用形態】 直接雇用
応募資格

【必須(MUST)】

GaAS材料、またはInP 材料の研究開発経験
※チップではなくてウェハーの方。
下記、どの商材の方でもOK。
1. Laser
2. detector
3. FP Laser
4. EEL laser
5. VCSEL Laser
6. DFB Laser
7. EML


【歓迎(WANT)】

英語が話せる方尚良

更新日 2021/01/21
求人番号 1628613

採用企業情報

  • EPI waferを生産している企業
  • 会社規模101-500人
  • 会社概要

    化合物半導体(Ⅲ‐V)材料の研究開発、製造、販売を専門としている。
    光通信やインテリジェントセンシング向けの高性能レーザ(FP/FP)を中心に、InPやGaAsをベースとした光エレクトロニクス製品、 (DFB/EML/VCSEL)と検出器(MPD/PIN/APD)のエピタキシャルウェハ等を幅広く提供。

    MOCVDエピタキシャル生産ラインとそれに対応するテストセンターを建設し、ISO9001認証を取得。
    現在、十数件の核心特許と数件の商標などの核心知的財産権を保有し、2017年「※※技術起業家賞」を受賞しています。

この求人の取り扱い担当者

  • 2.85
    ?
  • ヘッドハンターの氏名は会員のみ表示されます
  • 会社名は会員のみ表示されます

    • 中国
    • 高千穂大学 商学部 
  • 不動産 メーカー 商社
    • 現在、上海にて ”人と組織の成長を創造する”ことをモットーに人材様のご転職のサポートを提供しております。 お気軽にご連絡下さいませ。
    • (2020/09/14)

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