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パワーデバイス設計エンジニア

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ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社

  • 東京都

    • 資本金22,213百万円
    • 会社規模5001人以上
  • 半導体
  • その他
部署・役職名 パワーデバイス設計エンジニア
職種
業種
勤務地
仕事内容 車載および産業用パワーデバイスの製品設計、製品開発

・対象製品:パワーデバイス (MOSFET、IGBT/FRD)
・主担当業務:パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発


【募集背景】
車載/産業用パワーデバイス事業の拡大に伴い、製品開発・設計者の人員強化が必要である。
今回、即戦力としての経験者採用により開発体制を強化したい。
特に、デバイス物理の知識/経験と、製品設計技術の知識/経験を併せ持つエンジニアで、次世代の製品設計/開発のリーダー的役割を担う人材を募集する。
労働条件 雇用形態:正社員

<給与>
年収600~900万程度
※経験等を考慮し決定します

勤務時間:9:00~17:30(実働7時間45分 休憩45分)
勤務地:高崎事業所
休日休暇:【年間休日130日(2018年度)】、完全週休二日制(土・日)祝日、夏季休暇、年末年始休暇、年次有給休暇(初年度23日)
待遇・福利厚生:昇給:年1回、賞与:年2回、社会保険完備(雇用・労災・厚生年金・健康)、企業年金制度、財形貯蓄制度、持株会制度、通勤手当、賃貸家賃補助、時間外勤務手当
応募資格

【必須(MUST)】

・半導体デバイスもしくはプロセス設計/開発の業務経験
・パワーデバイスの基礎知識

【歓迎(WANT)】

・パワーデバイスの設計、開発、評価等の業務経験

[英 語] 相手の話しを聞ける TOEIC 500点程度
[日本語] ビジネス会話ができる

更新日 2020/10/19
求人番号 1527529

採用企業情報

ルネサスエレクトロニクス株式会社
  • ルネサスエレクトロニクス株式会社
  • 東京都

    • 資本金22,213百万円
    • 会社規模5001人以上
  • 半導体
  • その他
  • 会社概要

    【設立年月日】2002年11月1日
    【代表者】柴田 英利
    【資本金】222億1,300万円
    【従業員数】18,958名(連結 2019年12月末)
    【本社所在地】東京都江東区豊洲三丁目2番24号

    【事業内容】
    各種半導体に関する研究、開発、設計、製造、販売およびサービス

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