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| 部署・役職名 | デバイス開発エンジニア ※日本、上海勤務選択可 |
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| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
【募集部門】 開発部 【仕事内容】 デバイスの設計・開発、trench MOSFET（低オン抵抗 電解効果トランジスターの一種）、SGT、過電流型MOSFET、LDMOS、IGBTを担当頂きます。 ・業務内容は、プロセスモード、デバイスモード、レイアウト、デバイス特性、デバイス信頼性の認証も含みます。 ・デバイス設計ルールを他チームに公開 |
| 労働条件 |
■就業情報■ 【予定月収】 15000 ～ 41000元 税込み 【月収予定（備考）】 年収：50万元まで ※候補者の経験により相談可 【勤務地】 上海または日本 【就業時間（平日）】 9時00分～ 18時00分 【就業時間補足】 月～金 ※時間はフレックス ■其他 【試用期間給与】 応相談 【試用期間】 有 3ヶ月 【雇用形態】 直接雇用 初回契約：3年 試用期間：3ヵ月 試用期間中給与：80％ ※人物により契約期間等相談 原則長期雇用の予定です 【年間有給休暇】 ～ 20日 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 【募集要項】・電子、物理、電子材料等の専攻相当の知識を有し、6年以上のパワーデバイスの商品の設計または開発経験のある方 ※選考ポイント↓ IGBT/FRD製品設計と開発シニアエンジニア、デバイス設計、シミュレーション、レイアウト、 プロセス開発と製品アプリケーションで15年以上の実務経験で経験豊富な事 ・TCADソフト（SilvacoのTaurusやSentaurus等）を使用できること ・英語OR中国語：コミュニケーション以上の方優先 できなくても検討可 ・レイアウトデザインツール（laker,virtuoso等）に精通している事 ・デバイス開発ツールに精通している事（B1505，HP4155，HP8753D，HP4284等） 【歓迎（WANT）】 中国での就業経験海外での就業経験 英語、中国語可能な方 |
| 更新日 | 2020/07/27 |
| 求人番号 | 1432768 |
採用企業情報
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- 会社規模31-100人
この求人の取り扱い担当者
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- メーカー 商社 サービス
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- 中国全土の他、東南アジア圏も注力中。
- (2019/12/18)
