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デバイス開発エンジニア ※日本、上海勤務選択可

年収:800万 ~ 1000万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 デバイス開発エンジニア ※日本、上海勤務選択可
職種
業種
勤務地
仕事内容 【募集部門】 開発部
【仕事内容】
デバイスの設計・開発、trench MOSFET(低オン抵抗 電解効果トランジスターの一種)、SGT、過電流型MOSFET、LDMOS、IGBTを担当頂きます。
・業務内容は、プロセスモード、デバイスモード、レイアウト、デバイス特性、デバイス信頼性の認証も含みます。
・デバイス設計ルールを他チームに公開

労働条件 ■就業情報■
【予定月収】 15000 ~ 41000元 税込み
【月収予定(備考)】 年収:50万元まで
※候補者の経験により相談可
【勤務地】 上海または日本
【就業時間(平日)】 9時00分~ 18時00分
【就業時間補足】 月~金 ※時間はフレックス

■其他
【試用期間給与】 応相談
【試用期間】 有 3ヶ月
【雇用形態】 直接雇用
初回契約:3年 試用期間:3ヵ月 試用期間中給与:80%
※人物により契約期間等相談 原則長期雇用の予定です
【年間有給休暇】 ~ 20日
応募資格

【必須(MUST)】

【募集要項】
・電子、物理、電子材料等の専攻相当の知識を有し、6年以上のパワーデバイスの商品の設計または開発経験のある方
※選考ポイント↓
IGBT/FRD製品設計と開発シニアエンジニア、デバイス設計、シミュレーション、レイアウト、
プロセス開発と製品アプリケーションで15年以上の実務経験で経験豊富な事
・TCADソフト(SilvacoのTaurusやSentaurus等)を使用できること
・英語OR中国語:コミュニケーション以上の方優先 できなくても検討可
・レイアウトデザインツール(laker,virtuoso等)に精通している事
・デバイス開発ツールに精通している事(B1505,HP4155,HP8753D,HP4284等)


【歓迎(WANT)】

中国での就業経験
海外での就業経験
英語、中国語可能な方

更新日 2020/07/27
求人番号 1432768

採用企業情報

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