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メモリデザインエンジニア/大手半導体メーカー

年収:800万 ~ 1200万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 メモリデザインエンジニア/大手半導体メーカー
職種
業種
勤務地
仕事内容 ・メモリアーキテクチャデザイン(SRAM、DRAM、MRAM、RRAM、PCRAM、eFlash)
・主要な構成要素の設計(センシング、アナログ、高電圧、DFT)
・チップレベルの設計検証
・組み込み不揮発性メモリコンパイラと製品化
・シリコンの特性評価と信頼性の認定に関する製品/信頼性エンジニアとの共同作業
応募資格

【必須(MUST)】

SRAM、不揮発性メモリ、次世代メモリ(RRAM、MRAM、PCRAM、FeRAMなどを含む)の分野の設計経験。要英語力。
・SRAM: ビットセル特性(Vmin、ビットセルパフォーマンス、書き込みマージン)、センスアンプ設計、高シグマ変動解析、レースチェック、マージンサインオフに精通している方。高速および低Vmin設計に関する知識があれば尚可。
・不揮発性メモリ: eFlashテクノロジーと設計に精通している方。アナログ設計の知識は尚可。
・次世代メモリ: 設計と技術、いずれの最新技術に精通している方。 MRAM、RRAM、PCRAM、FeRAM、アナログ回路設計に関する特定の知識があれば尚可。

更新日 2020/01/10
求人番号 1240951

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