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電子顕微鏡による先端半導体ナノ物性評価技術の研究開発

年収： 1000万 ～ 1100万 ?

ヘッドハンター案件

部署・役職名 電子顕微鏡による先端半導体ナノ物性評価技術の研究開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 ・仕事内容
IoT社会の基盤となるCPUやメモリ、通信などの先端半導体デバイスにおける安定生産を支えるため、電子顕微鏡をベースとした半導体デバイスの性能・特性検査に関する研究開発業務を担っていただきます。具体的には、微細化や立体化、材料の多様化など複雑化が進む最先端半導体デバイスの進化に対応するため、新しい検査計測技術やハードウェアの開発を行います。同社のフラグシップとなる研究所で、最新の技術の研究からその事業化まで幅広く経験・推進することができる、非常にやりがいのあるポジションです。

・具体案件
先端デバイスの開発や製造における課題の探索と解決に向けた新技術の提案
提案した新技術の研究開発（計測手法の開発や装置開発など）
事業部や国内外の最先端顧客と連携した新技術の効果実証
開発した新技術に関する特許の創生
学会発表やニュースリリースを通じた新技術および新製品のPR
労働条件 ・労働条件
想定年収：8,300,000円から10,800,000円（主任クラス）
想定月給：486,000円から632,000円
※諸手当は別途支給（時間外勤務手当、住宅手当など）。年収上限には裁量労働勤務手当を含みます。
勤務時間：8:50から17:20（実働7時間45分、休憩45分）
働き方：個別の事情に応じて出社勤務と在宅勤務の併用が可能です。研究を進める上で必要な場合は出社勤務となります。

・福利厚生
住宅手当（最大60万円/年）
寮・社宅完備
カフェテリアプラン（12.2万円相当/年）
子ども・介護等支援手当
仕事と育児・介護の両立に関する各種支援制度（両立費用の支援、相談窓口など）
持株制度
退職金制度
企業年金制度
※各種手当や制度の適用には条件があります。
応募資格

【必須（MUST）】

走査型電子顕微鏡開発に関する研究開発の経験
TOEIC700点程度以上の英語力（読み書き・メール利用に支障がないレベル）
最終学歴：大学院卒（修士）以上


【歓迎（WANT）】

半導体デバイス開発の経験
電子顕微鏡、真空設備、レーザー光学系に関わる業務経験
電磁界シミュレーション、光学シミュレーションのスキル
特許執筆の実務経験（目安として2件以上）
学術論文執筆および国際学会での発表経験（目安として主著2件以上）
※応募の際は、研究実績一覧表または職務経歴書に論文リスト（Publication List）を含めて提出してください。



同社グループが求める共通のコンピテンシーとして、以下の姿勢を重視しています。
お互いを信頼しパフォーマンスを最大限に発揮できる安心安全な職場環境を支え、積極的な発言と成長を支援する姿勢（一人ひとりを活かす）。
社会を起点に課題を捉え、社内外の関係者と協創しながら成果に責任を持って社会に貢献する姿勢（顧客・社会起点で考える）。
新しい価値を生み出すために、情熱を持って学び、現状に挑戦し、イノベーションを加速する姿勢（イノベーションを起こす）。
リモートワーク

可

「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策

屋内禁煙
更新日 2026/08/21
求人番号 9745793

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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