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| 部署・役職名 | エピタキシャル プロセスエンジニア |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
・MOCVDによるInP系化合物半導体エピ層の成膜・評価・改善業務 ・結晶品質評価（XRD、PL、AFM、SEM、TEM等）に基づく工程最適化 ・成膜条件（温度・圧力・V/III比・キャリアガス流量等）の制御と再現性確保 ・歩留まり改善／成長不具合解析（層厚ムラ・組成偏差・欠陥発生メカニズム解明） ・結晶成長工程における新装置導入・能力改善プロジェクトの推進 ・光デバイス設計／プロセス統括部門との連携による新製品向けエピ構造設計支援 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 【必須要件】・化合物半導体（InP系、GaAs系等）を用いた結晶成長（Epitaxy）または関連工程経験 ・結晶評価手法（XRD／PL／SEM／AFMなど）の実務理解 ・工程改善・歩留まり改善・異常解析などの生産技術経験（2年以上／修士卒1年以上） ・設備メーカー／装置技術者との技術折衝スキル ・英語での資料作成・メールコミュニケーション対応力（PPT／会議含む） |
| リモートワーク | 不可 |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/07/22 |
| 求人番号 | 9251640 |
採用企業情報
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- 会社規模101-500人
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- メーカー 商社 エネルギー
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