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| 部署・役職名 | 化合物半導体を用いた電子・光デバイスの研究開発(ハードウェアエンジニア) |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
・将来通信のキーデバイスであるGaN材料系高周波パワーアンプや、重要施設の監視 ・インフラ点検等に用いる高感度赤外線センサなど、化合物半導体を用いた電子 ・光デバイスの研究開発。 ・高周波パワーアンプの開発(トランジスタとその集積回路) ・赤外線センサの開発(受光素子と読出回路とその集積化技術) |
| 応募資格 |
【必須(MUST)】 ・半導体デバイス開発(化合物半導体ならなお好ましい)・語学力:日常会話レベル ・日本語レベル:ネイティブレベルを希望 【歓迎(WANT)】 デバイスシミュレーション、CAD、高周波特性評価、高周波実装、回路設計の経験があること |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/07/10 |
| 求人番号 | 9026753 |
採用企業情報

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