1. 転職サイト ビズリーチ
  2.  > 
  3. 求人検索
  4.  > 化合物半導体を用いた電子・光デバイスの研究開発(ハードウェアエンジニア)

転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録(無料)が必要です

新規会員登録(無料)

化合物半導体を用いた電子・光デバイスの研究開発(ハードウェアエンジニア)

年収: 1100万 ~ 1200万 ?

ヘッドハンター案件

部署・役職名 化合物半導体を用いた電子・光デバイスの研究開発(ハードウェアエンジニア)
職種
業種
勤務地
仕事内容 ・将来通信のキーデバイスであるGaN材料系高周波パワーアンプや、重要施設の監視
・インフラ点検等に用いる高感度赤外線センサなど、化合物半導体を用いた電子
・光デバイスの研究開発。
・高周波パワーアンプの開発(トランジスタとその集積回路)
・赤外線センサの開発(受光素子と読出回路とその集積化技術)
応募資格

【必須(MUST)】

・半導体デバイス開発(化合物半導体ならなお好ましい)
・語学力:日常会話レベル
・日本語レベル:ネイティブレベルを希望

【歓迎(WANT)】

デバイスシミュレーション、CAD、高周波特性評価、高周波実装、回路設計の経験があること

受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2026/07/10
求人番号 9026753

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録(無料)が必要です

新規会員登録(無料)