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先端半導体前工程プロセスの研究開発_Y2649

年収： 800万～ 1200万

採用企業案件

採用企業

部署・役職名	先端半導体前工程プロセスの研究開発_Y2649
職種	研究・開発研究・開発研究・開発
業種	電気・電子半導体
勤務地	三重県
仕事内容	【採用背景】人工知能(A.I.)の性能向上に伴い、A.I.は日常生活に無くてはならないツールとなっています。将来的には更なる性能向上と活用される分野が増大することが予想されています。A.I.の活用による計計算量の飛躍的な増大とそれに伴うデータセンターなどで使用する電力の消費が社会問題になりつつあります。キオクシアでは高性能かつ消費電力を削減可能なメモリであるOCTRAM(Oxide Channel Transistor RAM)を開発しています。まだ研究開発段階ではありますが完成度を早期に上げ、製品化をしたいと考えています。OCTRAMの製造プロセスを開発して頂ける方を募集しています。製品化のための研究開発により社会問題の解決を一緒にしませんか。【組織のミッション】優れた特性を持つ材料やプロセスを300mmウェハ上で検証し、新デバイス開発に活用することがミッションとなります。デバイス開発を通じて新デバイスの特性や製造容易性を確認することで量産可能性を検証し、次のビジネスの柱を築くことになります。【お任せする業務】 OCTRAMを始めとした先端デバイスを製造するための新プロセス開発に従事してもらう予定です。具体的にはデバイス形状を造るリソグラフィ、ドライ加工、ウェット、CMPなどのプロセス、及びデバイス特性を司る絶縁膜成膜、導電体成膜などのプロセスが対象となります。【具体的な仕事内容】先端デバイスを開発するためにデバイスグループやインテグレーショングループと連携して業務を行います。300mmウェハでのデバイス・ロットを流すためにプロセス条件出しや環境整備を行います。工程で課題のあるプロセスについては課題の要因を抽出、解決するための物理モデル構築、それらのモデルを検証するために物理分析や化学分析を活用します。課題の要因が理解できたところで、対策プロセスを立案し、その結果を確認していきます。また、先端デバイスでは既存の装置では実現できない新規のプロセスが必要となります。新プロセスを実現するために装置メーカーとの共同開発、新規設備の導入をすることもあります。 [従事すべき業務の変更の範囲] （雇入れ直後）上記の通り（変更の範囲）その他会社が指示する業務【使用ツール】半導体前工程の300mmウェハ装置を主に使用してプロセス開発を行います。クリーンルームでの作業もありますが、作業担当の方に依頼することが可能です。【業務のやりがい・魅力】世の中にアピールすることができる消費電力が低い新メモリデバイスを開発しています。製品化を実現できれば、会社のビジネス拡大に寄与することができます。さらには低消費電力のデバイス利用が拡大することで膨大な電力を消費するデータセンターの消費電力を削減し、社会貢献することができます。【技術優位性】学会でも注目を集める低消費電力デバイス：OCTRAMの開発を行っています。最先端のデバイスを製造するために最先端のプロセスを一緒に開発しませんか。【キャリアパスイメージ】担当するユニットプロセスの専門性を高めると同時に経験を積んでもらいます。同時に開発するデバイスについての知識も習得して頂き、担当する工程に真に求められるスペックが何かを自ら提案できるようになってもらいたいと思います。将来的には複数のユニットプロセスと連携し、総合的な最適化ができるような技術者を目指してもらいたいと考えています。【職場環境】職場内に個人ブース、セミオープン会議室、立ち話スペースなどがあり、柔軟な働き方が可能です。また、リフレッシュルームもあり、一休みすることもできます。【研修・育成制度】メンター制度があり若い方の技術者としての育成を支援します。最新の情報に触れるために学会参加を推奨しています。
労働条件	・給与：月給33.3万～80万円（想定年収　550万～1260万円） ※上記の下限は初任給（学卒新人）です。経験・能力を考慮し決定・雇用形態：正社員(試用期間2か月、契約期間の定めなし) 【年収例】・950万円／36歳（既婚・子2人／月給53万円＋各種手当＋賞与） ※各種手当には、住宅費補助、家賃補助、次世代育成手当、20時間/月相当の時間外勤務手当含む。・680万円／28歳（独身／月給39万円＋各種手当＋賞与） ※各種手当には、住宅費補助、家賃補助、20時間/月相当の時間外勤務手当含む。・勤務時間：8時30分～17時15分(※休憩時間60分、フレックスタイム制）・休日・休暇：年間休日125日(2026年度)、完全週休2日制(土日)、　祝日、ＧＷ、夏季、年末年始、有給休暇、赴任休暇、介護休暇、妊娠保護休暇、看護等休暇等・諸手当：次世代育成手当（18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月）　住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、在宅勤務手当等・寮・社宅：独身寮、単身寮、家族社宅・その他：昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費支給(規定による)、　在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年金制度、従業員持株制度、健康保険、雇用保険、労災保険等 ※管理職採用の場合、年俸制。フレックスタイム制、次世代育成手当、住宅費補助、時間外勤務手当は対象外 ※場合により嘱託採用の可能性あり・勤務地【Web面接実施中】 ●四日市工場（三重県四日市市）・近鉄富田駅より車10分、バス20分 ※ 名古屋駅より急行で30分弱・東名阪道四日市東ICより車5分・車通勤可・バイク通勤可 ● 敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり) [就業場所の変更の範囲] （雇入れ直後）上記の通り　　　　　　 ※在宅勤務制度利用者は、自宅その他在宅勤務制度実施基準で定める場所を含む（変更の範囲）会社が指定する場所 ※配置転換や転勤・出向などの人事異動等により、就業場所を変更することがある。
応募資格	【必須（MUST）】・物理・化学・材料工学などの理工学系基礎知識を有し、それらをベースとしたデータ解析・課題解決（物理モデル構築や要因解析など）の実務経験・デバイスグループやインテグレーショングループなど、社内外の複数部門と円滑に連携できるエンジニアとしてのコミュニケーション能力【歓迎（WANT）】・EDSやXPS等の分析についての一般的な知識・半導体前工程におけるプロセス開発、または半導体製造装置の開発実務経験（経験年数不問）・特定のユニットプロセス（リソグラフィ、ドライエッチング、ウェット洗浄、CMP、成膜など）における深い専門性や知見・酸化物半導体（Oxide Semiconductor）や新材料を用いたデバイス・プロセス開発の経験・300mmウェハ製造ラインでの開発・運用経験・各種物理・化学分析（例：SEM、TEM、EDS、XPS、SIMSなど）の実務経験、または分析結果に基づくプロセス最適化の経験・半導体製造装置メーカーとの共同開発や、新規設備の導入・立ち上げを主導した経験・英語力（目安：TOEIC 600点以上、または英語での仕様書読解・海外メーカーとの実務経験）【学歴】大卒以上
アピールポイント	完全土日休みフレックスタイム
受動喫煙対策	屋内禁煙
更新日	2026/07/01
求人番号	8830951

採用企業情報

キオクシア株式会社

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