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| 部署・役職名 | 【東証プライム×自動車サプライヤ×年収~1400万×プロセス技術開発】パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
【組織ミッション】 SiC準備室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体（SiC）に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。 【業務内容】 パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発 具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。 ・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計 ・単結晶製造設備制御技術開発 ・ウェハ製造のための、生産技術開発 ・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計 ・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理 ・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝 ・開発技術の権利化 【業務のやりがい・魅力】 ✓ 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます ✓ 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます ✓ システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます ✓ 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます ✓ 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方 ・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方 ・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方 ・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方 ・半導体装置（結晶成長、加工、エピ）開発、設計を3年以上お持ちの方 【歓迎（WANT）】 下記のいずれかの知識・経験を有している方・気相反応（CVD）、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験 ・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識 ・パワー半導体材料、単結晶に関する知識 ・技術開発における推進リーダ経験 ・海外企業との折衝経験 ・語学力（英語）：海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル（TOEIC610点以上） |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/04/24 |
| 求人番号 | 8182014 |
採用企業情報
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この求人の取り扱い担当者
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- メーカー
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- ※12/26（金）~01/04（日）までお休みをいただいております※ 製造メーカーから通信・ITまで幅広く担当。 第二新卒からシニア層の方まで、幅広くご内定実績がございます。 内定獲得のための面接対策に自信あり。 ご相談も含め、是非ともお声がけくださいませ。
- (2025/12/24)
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