＜群馬＞Principal Medium Voltage Power MOSFET Design Engineer

【募集背景】 当社では、中耐圧（MV）パワートレンチ MOSFET 設計チームにおいて、次世代の シールドゲート型トレンチ MOSFET 技術 の設計・開発を担っていただける、高い意欲と技術力を備えたエンジニアを募集しています。 本ポジションでは、プロセスインテグレーションチーム、アプリケーションチーム、マーケティングチーム、ならびに外部ファウンドリパートナーと密に連携しながら、技術革新の推進、デバイス性能の最適化、製品の量産化加速において中核的な役割を担っていただきます。 【主な業務内容】 • 次世代中耐圧（MV）シールドゲート型トレンチ MOSFET 技術に向けた • 主要プロセスモジュールの定義および確立 • TCAD シミュレーション環境（デッキ）の構築、および先進的なデバイス設計コンセプトの提案 • 各開発イテレーションにおける、ウェハレベル電気特性評価および • パッケージレベル性能データの解析 • 歩留まり改善活動の主導、ならびに量産立ち上げに向けた技術移管の支援 • 確立・成熟した技術プラットフォームをベースとした派生製品の開発への貢献 ※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。

契約期間：期間の定めなし 試⽤期間：あり（3カ⽉） 年間有給休暇日数：入社年度分の付与1日～23日（入社月で異なる）入社翌年度分の付与25日 年間休日数：132日（年間休日125日+特別休暇2日+夏休み（5日：各人の有休消化）） 社会保険：健康保険、厚⽣年⾦、労災保険、雇⽤保険 受動喫煙防⽌措置：屋内原則禁煙 【勤務地】 ルネサスエレクトロニクス株式会社　高崎事業所 群馬県高崎市西横手町111