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| 部署・役職名 | SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
業務内容 SiC、GaNパワー半導体（SiC－MOSFET、縦型GaN－MOSFET、横型GaN－HEMT）のデバイスおよびプロセスに関する研究開発。SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発。 ・パワーデバイスの企画、技術動向調査 ・パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計 ・パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発 ・パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計 ・パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析 ・パワーデバイス用ウェハ（GaN基板、SiCエピ成長）の技術開発 ・パワーデバイス用加工装置の導入および改造 |
| 労働条件 |
契約期間：期間の定め無 使用期間：無 就業時間：フレックスタイム制/標準労働時間8h コアタイム10時10分から14時25分 休日：週休2日制 残業：有 社会保険：健康保険、厚生年金、労災保険、雇用保険 屋内の受動喫煙対策：屋内禁煙、屋内原則禁煙（喫煙室あり） |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 <MUST要件>・半導体に関する知識を有すること ・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（研究開発、量産経験は問いません） <WANT要件> ・パワー半導体に関する知識を有すること ・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上） ・半導体加工設備の導入および改造経験 ・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者 |
| リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/03/27 |
| 求人番号 | 7874884 |
採用企業情報
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- 会社規模5001人以上
この求人の取り扱い担当者
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- メーカー
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- 自動車産業のOEM,Tier1を中心にスカウト活動をしております。自動車産業はCASEと言われる100年に1度の大変革期であり、自動車業界は大変な人手不足となっております。キャリアコンサルティングの知見を活かして求職者の皆様のキャリアアップのお手伝いをさせていただければ幸いです。
- (2024/04/09)
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