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【東証プライム×自動車サプライヤ×年収~1400万×半導体素子×デバイス開発】電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発

年収:800万 ~ 1400万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 【東証プライム×自動車サプライヤ×年収~1400万×半導体素子×デバイス開発】電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 【組織ミッション】
パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。
その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。
年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。

【業務内容】
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/開発/設計業務

具体的には、以下の業務に携わっていただきます。
◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討
 ・技術ニーズ調査
 ・技術動向調査
 ・目標仕様調整および設計

◆車載用SiC-MOSFETデバイス開発・設計
 ・デバイスシミュレーション
 ・構造検討およびレイアウト設計
 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善
 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック

【業務のやりがい・魅力】
・SiCパワー半導体デバイス開発に関するスキルアップができます。特に、最先端の研究機関との連携や、試作ラインを用いて、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。
・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ開発部署と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。
・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。
応募資格

【必須(MUST)】

半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方
 ※パワー半導体の経験有無は問いません

【歓迎(WANT)】

以下いずれかのご経験をお持ちの方
・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 
・半導体素子の設計および開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方
・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2026/02/25
求人番号 7578608

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

  • 3.43
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    • 東京都
    • 神奈川大学
  • メーカー
    • ※12/26(金)~01/04(日)までお休みをいただいております※ 製造メーカーから通信・ITまで幅広く担当。 第二新卒からシニア層の方まで、幅広くご内定実績がございます。 内定獲得のための面接対策に自信あり。 ご相談も含め、是非ともお声がけくださいませ。
    • (2025/12/24)

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