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【東証プライム×自動車サプライヤ×年収~1400万×半導体素子×プロセス開発】電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発

年収:800万 ~ 1400万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 【東証プライム×自動車サプライヤ×年収~1400万×半導体素子×プロセス開発】電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 【組織ミッション】
パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。
その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。
年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。

【業務内容】
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子(GaNーHEMT)のプロセス開発業務

具体的には、以下の業務に携わっていただきます。
・車載用GaN-HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発
・上記ユニットプロセスを組み合わせてトータルプロセスフローの構築
・デバイス性能向上やコスト改善するプロセスの開発

【業務のやりがい・魅力】
・パワー半導体プロセス開発に関するスキルアップができます。特に、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。
・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。
応募資格

【必須(MUST)】

半導体材料またはそのプロセス技術の研究・開発経験をお持ちの方
 ※パワー半導体の経験有無は問いません

【歓迎(WANT)】

以下いずれかのご経験をお持ちの方
・パワー半導体に関する知識をお持ちの方
・半導体プロセスインテグレーションの知識をお持ちの方
・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2026/02/25
求人番号 7578607

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

  • 3.39
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    • 東京都
    • 神奈川大学
  • メーカー
    • ※12/26(金)~01/04(日)までお休みをいただいております※ 製造メーカーから通信・ITまで幅広く担当。 第二新卒からシニア層の方まで、幅広くご内定実績がございます。 内定獲得のための面接対策に自信あり。 ご相談も含め、是非ともお声がけくださいませ。
    • (2025/12/24)

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