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| 部署・役職名 | 半導体プロセスエンジニア（レーザーアニール領域）／横須賀or愛媛勤務 |
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| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
■採用背景： 既存事業であったイオン注入とレーザアニールプロセスは半導体製造の前工程プロセスにおいて隣接する工程となります。2025年度に親会社のレーザ事業部と事業統合し、また、レーザアニール装置の事業を営むフランス企業を買収したことに伴い、レーザアニールプロセス側から装置開発における新技術の開発に貢献いただける専門人材を募集いたします。 ■部署概要： イオン注入装置ならびにレーザアニール装置の品質・パフォーマンス最大化に向け、半導体製造プロセスに関する技術サポートと課題の抽出や、市場・競合メーカー・学会等の情報より未来の技術動向を把握し、新装置開発の方針を決定づけます。また、顧客内の半導体プロセスの新規提案や、他社装置の性能を踏まえたプロセス技術の合わせ込みも行う、貢献度の高い部署です。 ■職務内容： ・レーザアニールプロセスにおける新技術開発の方針決定 ・装置間のデバイス特性合わせ込み方法の開発と、顧客への展開 ・アニールプロセスの計測技術（ドーパント濃度、汚染濃度、欠陥検出等）の導入と、それによる顧客サポート力強化 ・学会、顧客情報等の分析による半導体製造プロセス技術の動向把握 ・プロセスシミュレーションツールの開発と、それを利用した顧客サポート ※目安として、1回あたり1週間前後の海外出張が発生します（状況によって変動あり）。 ■採用期待と本ポジションの魅力： ・入社後3か月程度は横須賀事業所とフランス拠点でレーザアニール装置のオペレーションを習得いただきます。具体的には、社内のデモ装置を用いた装置研修ならびに出荷用装置の社内・客先立ち上げ等をご経験いただき、レーザアニール装置の仕組みをキャッチアップしていただきます。 ・その後開発領域のミッションをメインに上記＜■職務内容＞に記載にある業務に就いていただきますが、当ポジションへの最大の期待は、半導体業界のレーザアニール領域（イオン注入含む）において世界をリードするための体制をつくることであり、社内外での日々の活動でプロセス技術の新たな事象を捉え、当社の装置開発の方向性を決定づける重要ポジションとなっております。 ・給与：年収 800～ 1100万 ※これまでのご経験・能力を考慮し、規定により支給いたします。 ■勤務地 神奈川県横須賀市夏島町 愛媛県西条市今在家 通勤手段：マイカー通勤可能 転勤：当面なし 〇勤務時間 愛媛勤務の場合：08:00～16:45（休憩45分間） 横須賀勤務の場合：08:30～17:30（休憩60分間） |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 【必須】・企業もしくは大学等で、半導体のレーザアニールプロセスにおける研究・解析・特性評価のいずれかのご経験（目安：5年以上） ・英語を話す実務に抵抗がない方（保有資格は問いません） 【歓迎（WANT）】 【歓迎】・半導体デバイスメーカーもしくは半導体製造装置メーカーでの就業経験 ・半導体業界で顧客対応のご経験をお持ちの方 ・学会発表等のご経験をお持ちの方 |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2026/02/24 |
| 求人番号 | 6711631 |
採用企業情報
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- 会社規模501-5000人
この求人の取り扱い担当者
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- IT・インターネット メーカー サービス
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