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電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発

年収：800万 ～ 1400万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 電動車向けインバータ用パワー半導体（SiC－MOSFET、縦型GaN－MOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術、ウェハ技術の研究開発及び試作品評価
・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計
・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、 技術動向調査
・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発
・パワーデバイスのウェハ（基板、エピ成長など）技術の開発
・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発
・試作品の評価、分析、解析
労働条件 契約期間：期間の定めなし
使用期間：有（3ヶ月）
就業時間：フレックスタイム制/標準労働時間8h
　　　　　コアタイム10時10分から14時25分
　　　　（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
休日：週休2日制（土曜日・日曜日）
想定年収：550万円～1,600万円
諸手当：家族手当、時間外勤務手当、通勤手当など　※手当支給には会社規定の条件があります。
社会保険：雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金
応募資格

【必須（MUST）】

・半導体に関する知識を有すること　
・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験
　（研究開発、量産経験は問いません）

【歓迎（WANT）】

・パワー半導体に関する知識を有すること　
・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上）
・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者

リモートワーク

可

「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策

屋内禁煙
更新日 2026/01/29
求人番号 6688799

採用企業情報

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