1. 転職サイト ビズリーチ
  2.  > 
  3. 求人検索
  4.  > 電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発

転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録（無料）が必要です

新規会員登録（無料）

電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発

年収：800万 ～ 1400万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 【業務内容】
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発業務

具体的には、以下の業務に携わっていただきます。
・車載用GaN－HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発
・上記ユニットプロセスを組み合わせてトータルプロセスフローの構築
・デバイス性能向上やコスト改善するプロセスの開発
労働条件 契約期間：期間の定めなし
使用期間：有（3ヶ月）
就業時間：フレックスタイム制/標準労働時間8h
　　　　　コアタイム10時10分から14時25分
　　　　（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
休日：週休2日制（土曜日・日曜日）
想定年収：550万円～1,430万円
諸手当：家族手当、時間外勤務手当、通勤手当など　※手当支給には会社規定の条件があります。
社会保険：雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金
応募資格

【必須（MUST）】

半導体材料またはそのプロセス技術の研究・開発経験をお持ちの方
　※パワー半導体の経験有無は問いません

【歓迎（WANT）】

以下いずれかのご経験をお持ちの方
・パワー半導体に関する知識をお持ちの方
・半導体プロセスインテグレーションの知識をお持ちの方
・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

リモートワーク

可

「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策

屋内禁煙
更新日 2026/01/27
求人番号 6668494

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録（無料）が必要です

新規会員登録（無料）