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スーパージャンクション型デバイス設計専門家

年収:1000万 ~ 2000万

ヘッドハンター案件

役員面接

部署・役職名 スーパージャンクション型デバイス設計専門家
職種
業種
勤務地
仕事内容 1.先進的なスーパージャンクション型 SiC MOSFET のデバイス構造設計、シミュレーション最適化、特性評価を担当し、デバイスの主要寸法およびプロセス仕様を定義する。
2.プロセスインテグレーションチームと密接に連携し、デバイス設計を量産可能なプロセスフローへと落とし込み、プロセス開発を指導する。
3.デバイス試験計画の策定をリードし、試験データを解析して設計コンセプトを検証し、継続的に設計を改善する。
4.世界の SiCスーパージャンクションデバイス技術動向 を追跡し、競合分析を行い、会社の技術ロードマップ策定に重要なインプットを提供する。
労働条件 2000万円以内、それ以上の方も推薦可能
契約社員(3年毎の更新、通算5年まで)、もしくは2回目の更新で無期雇用に切り替える
福利厚生:日本の労働法に従う
現在法人登記の準備中、入社時は中国本社にて研修を1~3ヶ月間設ける(その間は日本に帰国可、その後は出張ベースで中国に)
応募資格

【必須(MUST)】

1.20年以上のパワー半導体デバイス設計経験を有し、SiCスーパージャンクションMOSFET の設計およびテープアウトの成功経験を持つ方は優先的に考慮。
2.5年以上の車載向けパワーデバイス開発経験を有し、特性評価・信頼性試験・故障解析・アプリケーション評価を含め、車載規格要求を満たす開発ができる方。
3.デバイス構造/パラメータ設計、シミュレーション、DOE、プロセス開発・最適化、良率改善から量産立ち上げまで、製品開発の全プロセスに関する経験を有すること。
4.修士または博士号を有し、特に ワイドバンドギャップ半導体(SiC/GaN) 分野における深い研究経験またはプロジェクト経験を持つ方を優遇。

リモートワーク

「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります
受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2026/01/23
求人番号 6613658

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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