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化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発【高周波光デバイス製作所】

年収：800万 ～ 1200万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発【高周波光デバイス製作所】
職種
業種
勤務地
仕事内容 【募集背景】
・1960年代より積み重ねてきた研究開発の歴史を継承し、今もなお進化を続ける同社の化合物半導体技術。その技術から生み出される高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、性能面で他社の追随を許さず、国内外でトップクラスのシェアを誇ります。近年、通信トラフィックは急速に増大しており、お客様からの期待に応えるため、この度生産能力を大きく引き上げる「増産」へと踏み出すことになりました。
・これら最先端デバイスの性能を支える要となるのが、エピタキシャル成長技術です。新規デバイス構造の開発や量産プロセスの高度化に対応するため、エピタキシャル成長分野の実務経験を持つエンジニアを新たに募集します。

【職務内容】
・光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。
・結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。
（業務内容例）
◆InP／GaAs／GaN 系のIII－V 族化合物半導体のエピタキシャル成長
　・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長
　・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整
　・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など）
◆ 薄膜の評価および解析
　・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）
　・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化
　・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析
◆エピ成長条件の最適化と再現性向上
　・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）
　・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討
　・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化
　・エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理
◆ 新規材料／構造のプロセス開発
　・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発
　・新デバイス用途への新規材料展開
→将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引頂く事を期待しています。
（環境/使用ツールなど）
・Excel VBA, Python
・汎用結晶成長シミュレーター　等

【組織について】
●本部・事業部
国内・海外顧客並びに社内部門に対する高周波デバイス製品・光デバイス製品の販売・開発
●ウエハ製造部
高周波デバイス・光デバイスの半導体ウエハ製造、エピ/プロセスの生産技術、要素技術開発
●エピ技術課
高周波デバイス・光デバイスのエピ構造開発、エピ量産技術

【やりがい/魅力】
・原子オーダーで薄膜を制御するエピタキシャル成長技術は世界トップクラスのシェアを持つ光通信デバイスの性能を支える中核技術であり、「光」を生み出す最上流工程を担う事ができます。
・成長条件の最適化から量産化まで、自ら設計したプロセスが製品性能に直結し、理論（量子力学・固体物理）を実装に落とし込む高度なエンジニアリングを実践することができます。

【職場環境】
・平均時間外就業：20時間／月
・出張：有 （年数回）
・リモートワーク：有（週3日程度利用可能）
・コアタイムレスフレックス制度

【勤務地詳細】
・兵庫県伊丹市内の同社事業所（JR北伊丹駅からバスで約10分）
労働条件 勤務条件：試用期間あり（3ヶ月間、条件変更なし）、月給制（月額給与30～54万円）、昇給昇格年1回（4月）、賞与年2回支給（6・12月）
就業時間：8:30～17:00、7時間45分勤務（休憩45分）、フレックスタイム制有り、（コアタイムなし）
休日休暇：年間休日125日（2025年度）、土曜/日曜/祝日、GW、夏季、年末年始など（会社カレンダーに準じる）、年次有給休暇（年間20日～25日※入社時より付与。付与日数は入社日により変動）、チャージ休暇（2～4日 30歳、40歳、50歳到達年）
福利厚生・その他：社会保険完備（雇用、労災、健康、厚生年金）、寮、社宅、家賃補助制度、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、社員互助会、保養所、契約リゾート施設、スポーツ施設など 、事業所屋内禁煙
【業務変更の範囲】会社の定める業務（※業務の都合によっては会社外の職務に従事するため出向又は転属を命じることがあります）
【勤務地変更の範囲】会社の定める場所（※業務の性質等に応じリモートワークを認める場合は、リモートワーク を行う場所（自宅等）を含む。 ）
応募資格

【必須（MUST）】

・化合物半導体（InP, GaAs, GaNなど）の結晶成長・評価経験に関する実務または研究開発のご経験のある方。（目安：3年以上）
・MOCVD、MBEなどの結晶成長装置の操作・プロセス設計経験のある方。
・物性物理、量子力学、電磁気学に関する基礎知識のある方。

【歓迎（WANT）】

・光通信デバイス、高周波デバイスなどの開発経験のある方。
・成膜・エッチング・評価など周辺プロセスの知識のある方。
・英語スキル（論文調査、海外メーカーとの技術ディスカッションなど）のある方。
・Python等を用いたデータ解析やプロセス制御スクリプト経験のある方。

【求める人物像】
・結晶成長という“モノづくりの源”に情熱を持ち、原子レベルでの品質改善に挑戦できる人。
・現場・技術・人をつなぐリーダーシップを発揮し、チームの成果に責任を持てる人。
・新しい技術領域に自ら踏み込み、論理的に課題を解決できる人。
・一緒に働く人だけでなく、関わる全ての人への心遣いや配慮ができる人。
受動喫煙対策

喫煙室設置
更新日 2025/12/03
求人番号 6221467

採用企業情報

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