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半導体開発エンジニア（SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア）

年収：800万 ～ 1000万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 半導体開発エンジニア（SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア）
職種
業種
勤務地
仕事内容 ◆RFデバイス並びにSi Photonicsのデバイス／インテグレーション
　開発エンジニア
　RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行う。

■具体的な職務内容
・顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のあるデバイス（FET、各種能動／受動素子）を開発する。
• プロセス開発とデバイス開発を盛り込んだSiウエーハ作製フローを構築し、開発ウエーハ作製を具体化する。
• 顧客やベンダーなどと技術のやり取りを通じて、満足度を与えながら開発課題の対応を行う。
• 国内外のチームメンバーと円滑なコミュニケーションとチーム内の技術調整。
• 英語による国外関係者との技術調整。

＜勤務地＞
・富山県魚津市の同社本社（※自動車通勤可能）

＜補足：就業環境など＞
・単身赴任社宅（借り上げ社宅）や、単身赴任手当（月5万円）、帰宅旅費支給（月1回以上）などの制度もあり、働きやすい環境の企業です。
労働条件 雇用形態：正社員（但し試用期間あり：3ヶ月間）
給与：月給制 or 年俸制（職位により異なる）／ 給与改定サイクル：年一回
勤務時間：8時間就労（8:30～17:15）、休憩時間45分、フレックスタイム制度あり（ノンコアフレックス）、リモートワーク制度もあり、
休日休暇：年間休日127日（2025年）、完全週休2日制（土日祝）、メーデー（5月1日）、夏季休暇、GW、年末年始休暇、有給休暇20日間／年（5日間は一斉取得）
手当・福利厚生等：超過勤務手当、通勤手当、退職金DC制度あり、単身赴任手当、単身赴任者帰省旅費、寮・社宅・住居費補助制度等あり、社員食堂・売店あり、入社前検診費用会社負担、屋内原則禁煙（喫煙指定場所あり）
勤務地変更の範囲：本社・魚津地区／砺波地区／長岡京事業所又は労働者の自宅
業務の変更の範囲：会社が定める業務
応募資格

【必須（MUST）】

・半導体デバイス・プロセスの開発経験、知識のある方。
・光学デバイス・プロセスの開発経験、知識のある方。
・半導体デバイスもしくは光学デバイスの特性評価経験のある方。
・コミュニケーション可能なレベルの英語力のある方。（基礎～日常会話レベルで可）

【歓迎（WANT）】

・光学デバイス製造の知識、経験のある方。

リモートワーク

不可
受動喫煙対策

喫煙室設置
更新日 2025/11/27
求人番号 6182539

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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