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| 部署・役職名 | パワーモジュール開発責任者 |
|---|---|
| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
1.日本研究開発センターにおけるモジュール開発全体の管理を担当し、新世代の高性能SiC（炭化ケイ素）パワーモジュールの設計、シミュレーションおよび 開発を主導する。 2.SiCパワーモジュールのトップレベル設計を担当し、チップ選定およびレイアウト、電気的インターフェース（ワイヤボンディング／銅張りセラミック基板 DBC・AMB、チップ実装など）、端子およびインターフェース仕様の定義を行う。 3.SiCパワーモジュールの開発全工程を管理し、プロセス開発および信頼性評価を調整し、開発したモジュール製品を重慶の量産ラインへ迅速に導入できるようにする。 4.社内のチップ設計チームおよびプロセス統合チームと緊密に連携し、チップ構造やプロセスの最適化提案を行い、IDM（垂直統合型製造）の強みを十分に発揮する。 5.テストチームを指導し、静的／動的パラメータ検証および故障解析を実施する。 6.世界のパワーモジュール技術動向を追跡し、会社の技術ロードマップ策定における意思決定支援を提供する。 |
| 労働条件 |
2000万円以内、それ以上の方も推薦可能 正社員 福利厚生：日本の労働法に従う 法人登記中、完了まではリモートワーク |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 1.パワーモジュール（IGBTまたはSiC MOS）の設計・開発経験20年以上、研究開発チームのマネジメント経験10年以上。2.シリコンカーバイド（SiC）パワーモジュールのコンセプト設計から量産までの全工程を主導または主要メンバーとして経験しており、自動車電子分野（特に電動車両の駆動系やOBC）の開発経験を有し、車載規格や開発プロセスに精通。 3.有名パワー半導体企業（ROHM、三菱電機、富士電機など）での勤務またはプロジェクト経験がある方を優遇。 4.修士号または博士号を有し、特にワイドバンドギャップ半導体（SiC/GaN）の分野での研究やプロジェクト経験がある方を優遇。 |
| リモートワーク | 可 「可」と表示されている場合でも、「在宅に限る」「一定期間のみ」など、条件は求人によって異なります |
| 受動喫煙対策 | 屋内禁煙 |
| 更新日 | 2025/11/13 |
| 求人番号 | 6114962 |
採用企業情報
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- 会社規模1-30人
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- 保険 不動産 サービス
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