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電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発

年収:800万 ~ 1400万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 車載向けの高耐圧、大電流かつ高品質なGaNプロセスを一緒に開発、挑戦してもらえる仲間を募集しています。

【組織ミッション】
パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。

その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。

年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。

【業務内容】
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子(GaNーHEMT)のプロセス開発業務

具体的には、以下の業務に携わっていただきます。
・車載用GaN-HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発
・上記ユニットプロセスを組み合わせてトータルプロセスフローの構築
・デバイス性能向上やコスト改善するプロセスの開発

【業務のやりがい・魅力】
・パワー半導体プロセス開発に関するスキルアップができます。特に、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。
・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。

【採用背景】
地球環境問題への世の中の関心が一段と高まっており、電動車の電費向上や生産時のCO2削減が喫緊の課題となっています。
私たちは、電動車部品(モータ、インバータなど)の燃費性能を向上するためのキーデバイスである高耐圧/大電流パワー半導体素子の企画、設計開発から製品化まで行っています。

Siに変わる次世代の車載用GaNデバイスを一緒に開発、挑戦してもらえる仲間を募集しています。

【組織構成/在宅勤務比率】
◎キャリア入社比率:約30%
パワーデバイス技術部には、民生半導体メーカーや産業機器メーカーからの入社者も多く在籍しています。

半導体技術との親和性が高いのはもちろんのこと、非自動車分野の考え方や業務プロセスを取り入れていく必要があるため、旧職の知見や経験を活用して活躍されています。

◎在宅勤務:可能
応募資格

【必須(MUST)】

<MUST要件>
半導体材料またはそのプロセス技術の研究・開発経験をお持ちの方
※パワー半導体の経験有無は問いません

<WANT要件>
以下いずれかのご経験をお持ちの方
・パワー半導体に関する知識をお持ちの方
・半導体プロセスインテグレーションの知識をお持ちの方
・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

受動喫煙対策

その他

「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください
更新日 2025/11/12
求人番号 5824383

採用企業情報

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